3.2.3 Рассчёт мощности, выделяемой на p-n переходе

1) Составили электрическую схему замещения тиристора (рис.3.15).

2)Рассчитали мощность, выделяющуюся на р-n переходе тиристора:

2.1)Используя схему замещения, изображённую на рис.3.15, рассчитали падение напряжения на тиристоре:

(3.54)

где UT0=1.1 – пороговое напряжение тиристора, В;

Id=15 – действующее значение прямого тока, проходящего через тиристор, А;

rT=27∙10-3 – динамическое сопротивление тиристора, Ом.

2.2)Рассчитали мощность, выделяемую на p-n переходе:

(3.55)


где UT=1.505 – действующее значение падения напряжения на тиристоре, В;

3.2.4 Расчёт транзисторного ключа (рис.3.14)

1).Выбор транзистора.

При выборе транзистора руководствовались правилом: максимальный ток коллектора тиристора должен быть больше максимального тока коммутируемой цепи (постоянного тока управления тиристора)

Схема параллельного транзисторного ключа.

Рис.3.14.

Электрическая схема замещения тиристора.

Рис.3.15.

и максимальное обратное напряжение между коллектором и эмиттером, должно быть больше максимального напряжения коммутируемой цепи (напряжения управления тиристорами). Исходя из этого, выбрали прибор из [6]. Параметры выбранного прибора приведены в таблице 3.20.


Таблица 3.20.

Параметры выбранного полупроводникового прибора.

Марка прибора Справочные данные прибора

Максимальное напряжение между коллектором и эмиттером транзистора Uкэ, В

Максимальный ток коллектора транзистора Iк, А

Коэффициент передачи тока базы транзистора в схеме с общим эмиттером
КТ660Б 30 0.8 200-400

2). Поскольку в пункте 3.1.2 мы уже рассчитали параметры резисторов R1 и R2 (таблица 3.3), то проведём проверку на предмет достаточности тока, заданного резистором R2 от источника питания. Для этого воспользовались условием насыщения биполярного транзистора (ток коллектора должен быть более чем 3-5 раз меньше произведения тока базы на коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером):

Для этого пренебрегая падением напряжения на базовом переходе транзистора в режиме насыщения определили ток базы:

(3.56)

где Iк= 0.010 – ток коллектора проходящий через транзистор в режиме насыщения, А

= 200 -минимальный коэффициент передачи тока базы транзистора в схеме с общим эмиттером;

Iб=0.008 – ток базы транзистора, заданный резистором R2, А.

Из выражения (3.56) видно, что условие насыщение биполярного транзистора выполняется.

3). Расчёт параметров резистора Rк.

Поскольку в режиме отсечки транзистора через этот резистор проходит ток, равный постоянному току управления тиристора, то сопротивление резистора рассчитывается по формуле:

(3.57)

где IGT=0.15- постоянный ток управления тиристора, мА;

Выбрали номинальное сопротивление резистора из [3]: Rк=33Ом.

По (3.3), подставляя значения тока IGT и номинального сопротивления Rк рассчитали мощность, выделяемую на резисторе Rк, в результате получили: Р=0.74Вт

4).Выбрали резистор Rк из [3]. Параметры выбранного прибора приведены в таблице 3.21.

Таблица 3.21.

Параметры выбранных резисторов.

Обозначение резисторов Параметры выбранных резисторов
марка мощность,Вт номинал, Ом допуск, %

Rк

МЛТ 1 33 5

3.3 Расчёт задающего генератора

 

3.3.1 Выбор схемы генератора

Согласно техническому заданию длительность квазистационарного состояния 30 мс.

Частота соответствующая такой длительности вычисляется по формуле (3.58):

(3.58)


где Т=0.03 – длительность квазистационарного состояния цифрового управляющего устройства, с.

Чтобы обеспечить стабильную частоту задающего генератора необходимо использовать схему с кварцевой стабилизацией частоты. Из [7] выбрали схему генератора (рис.3.16).


Информация о работе «Синтез цифрового управляющего устройства»
Раздел: Физика
Количество знаков с пробелами: 32893
Количество таблиц: 27
Количество изображений: 17

Похожие работы

Скачать
75776
73
44

... чертеж или схема выполняются в САПР AutoCAD, поэтому наиболее часто используемой вспомогательной программой является конвертор из формата P-CAD в AutoCAD.   1.   Основы математического аппарата анализа и синтеза комбинационных логических устройств Все устройства, оперирующие с двоичной информацией, подразделяются на два класса: - комбинационные (дискретные автоматы без памяти). - ...

Скачать
36470
13
11

... схемы цифровых РПУ и сделаны выводы об их преимуществах, и применении в современной авиационной радиоэлектронной аппаратуре. 1.Обзор современных схем построения ЦРПУ   1.1 Схемы построения цифровых РПУ Обобщенная схема цифрового радиоприемного устройства представлена на рисунке 1.   Рисунок 1 Развитие техники и технологии цифровых интегральных схем привело к тому, что заключительное ...

Скачать
18586
0
19

... главную регулируемую обратную связь и дополнительные обратные связи. 1 ФУНКЦИОНАЛЬНАЯ СХЕМА ОБЪЕКТА УПРАВЛЕНИЯ В качестве объекта управления используется управляемый полупроводниковый выпрямитель, двигатель постоянного тока независимого возбуждения типа 2ПН-132МУХЛ4. Вал двигателя соединен с тахогенератором. Выписываем из справочника параметры двигателя: Pн=2,5кВт Nн=1000 об¤мин; Nм=4000 ...

Скачать
20961
1
9

... телекоммуникаций может потребоваться не одна смена стандарта связи без смены комплекта приемо-передающей аппаратуры. Все это возможно в более сложных цифровых радиопередающих устройствах, построенных на основе специализированных цифровых процессоров передатчиков (TSP), которые будут рассмотрены в следующей главе. 2. Цифровые синтезаторы частоты с косвенным синтезом (ФАПЧ) Современные ...

0 комментариев


Наверх