Навигация
Конструктивно – технологические данные и ограничения
47775
знаков
4
таблицы
8
изображений
1.2 Конструктивно – технологические данные и ограничения.
Конструктивные и технологические ограничения, которые учитываются при разработке топологии интегральной микросхемы на биполярных транзисторах, изображены на рисунке 2. Расшифровка рисунка приведена в таблице 1.
Рис. 2 Конструктивно-технологические ограничения при разработке топологии интегральной микросхемы на биполярных транзисторах.
Таблица 1
Конструктивно-технологические данные и ограничения.
| Минимально допустимые размеры | Мкм |
| Ширина линии скрайбирования слоя | 60 |
| Расстояние от центра скрайбирующей полосы до края слоя металлизации или до края диффузионной области | 50 - 100 |
| Ширина проводника d 3 при длине < 50 мкм | 4 |
| Расстояние между проводниками d 4 при длине < 50 мкм | 3 |
| Перекрытие металлизации контактных окон в окисле к элементам ИМС d 20 | 2 |
| Расстояние от края контактного окна р+ разделительных областей для подачи смещения до края области разделения d 21 | 6 |
| Расстояние от края контактного окна к изолированным областям n-типа для подачи смещения до края области разделения d 22 | 6 |
| Размер контактных площадок для термокомпрессионной приварки проводников d 1 | 100 |
| Расстояние между контактными площадками d 2 | 70 |
Продолжение таблицы 1
| Расстояние между проводниками d 4 при длине > 50 мкм | 4 |
| Размер контактных площадок текстовых элементов рабочей схемы | 50x50 |
| Размеры контактного окна к базе d 15 | 4x6 |
| Размеры контактного окна к эмиттеру d 16 | 4х4;3х5 |
| Размеры окна вскрытия в окисле | 2,5x2,5 |
| Размеры окна в пассивирующем окисле d 23 | 100x100 |
| Ширина области разделительной диффузии d 5 | 4 |
| Расстояние от базы до области подлегирования разделительной диффузии d 6 | 10 |
| Расстояние между краем области подлегирования коллекторного контакта и краем разделительной области d 7 | 10 |
| Расстояние между краем разделительной области и краем скрытого n+ – слоя d 8 | 7 |
| Расстояние между краем контактного окна в окисле и к базе и 3 краем базы d 1 | 3 |
| Расстояние между эмиттерной и базовой областями d 11 | 3 |
| Расстояние между краем контактного окна в окисле к эмиттеру и краям эмиттера d l | 3 |
| Расстояние между контактными окнами к базе и эмиттеру | 4 |
| Расстояние между базовыми областями, сформированными в одном коллекторе | 9 |
| Расстояние между контактным окном к коллектору и областью разделительной диффузии d 14 | 6 |
| Ширина области подлегирования n+ – слоя в коллекторе d 17 | 8 |
| Ширина к контактному окну к коллектору d l8 | 4 |
| Ширина резистора d 13 | 5 |
| Ширина диффузионной перемычки | 3 |
| Расстояние от края окна в пассивации до края контактной площадки d 20 | 6 |
| Расстояние между соседними резисторами d 25 | 7 |
| Расстояние между диффузионными и ионно-легированными резисторами | 4 |
| Расстояние между контактной площадкой и проводящей дорожкой d 26 | 20 |
| Ширина скрытого n+ – слоя | 4 |
| Расстояние между контактными площадками текстовых элементов | 40 |
| Перекрытие металлизации контактных окон в окисле к элементам ИМС d2o | 2 |
| Расстояние от края контактного окна р+ к разделительным областям для подачи смещения до края области разделения d 2 1 | 6 |
| Расстояние от края контактного окна к изолированным областям n-типа для подачи смещения до края области разделения d 22 | 6 |
Следует обращать особое внимание на размеры топологических зазоров, так как при неоправданно малых их значениях ИМС или не будет функционировать, из-за перекрытия областей структуры (например, базовой области и области разделительной диффузии), или будет иметь искаженные параметры за счет усиления паразитных связей между элементами. С другой стороны, завышение размеров топологических зазоров топологических зазоров приводит к увеличению кристалла.
Сущность работы по созданию топологии ИМС сводится к нахождению такого оптимального варианта расположения элементов схемы, при котором обеспечиваются высокие показатели эффективности производства и качества ИМС: низкий уровень бракованных изделий, низкая стоимость, материалоемкость, высокая надежность, соответствие получаемых электрических параметров заданным.
Количество и размеры изолированных областей оказывают существенное влияние на характеристики ИМС, поэтому:
Похожие работы
... . Конструкция резисторов, предназначенных для использования при автоматизированной сборке (монтаже) аппаратуры, должна обеспечивать механизацию и автоматизацию процессов сборки аппаратуры. 1.2.1 Требования к конструкции Общий вид, габаритные, установочные и присоединительные размеры резисторов должны соответствовать указанным в стандартах или ТУ на резисторы конкретных типов. Внешний вид ...
... . Резисторы с такими зависимостями применяются для регулировки громкости и тембра звука, яркости свечения индикаторов и др. Резисторы с характеристиками Е и И используют в регулировке стереобаланса, а резисторы с косинусными и синусными зависимостями применяют в устройствах автоматики и вычислительной техники. Отклонения от заданной кривой определяются допусками. Для резисторов общего применения ...
... , которые сегодня можно найти в продаже, практически невозможно. Поэтому приведу лишь таблицы и рисунки с данными некоторых проволочных импортных резисторов. Огнестойки проволочные резисторы серии KNP Резисторы постоянные проволочные. Заменяют собой С5-5, С5-16, С5-16МВ Характеристики: · Высокая рассеиваемая мощность, большая перегрузочная способность · Диапазон рабочих температур: -30…+ ...
... 4 ГГ ц и имеют пластинчатую форму длиной от 4 до 20 мм, шириной от 3-до 6 мм, толщиной 1 мм, либо цилиндрическую диаметром от 1,5 до 4 мм и длиной от 12 до 24 мм. Высокомегаомные и высоковольтные резисторы. Резисторы специального назначения Высоко мегаомные резисторы, отличительной особенностью которых является низкий уровень номинальной мощности рассеивания (порядка десятков милливатт и ...
0 комментариев