Проведение измерения напряжений при помощи вертикального входа Y и внешнего делителя напряжений
Подключение p-n-перехода к внешнему напряжению
Параметры выпрямительных диодов
Схема замещения диода
Снятие вольтамперной характеристики туннельного диода при помощи осциллографа
Исследование выпрямителя на пониженном напряжении
Включение тиристора на постоянном токе
Исследование однофазного управляемого выпрямителя
Работа усилителя от сигналов постоянного тока
Суммирование импульсных напряжений
Снятие амплитудной характеристики неинвертирующего усилителя на постоянном токе
Одновходовый компаратор без обратной связи
Двухвходовый компаратор с положительной обратной связью
Снятие характеристики передачи в статическом режиме
Навигация
Исследование однофазного управляемого выпрямителя
Исследование полупроводниковых приборов
95058
знаков
15
таблиц
68
изображений
5. Исследование однофазного управляемого выпрямителя.
Схема выпрямителя приведена на рис.3. Делитель R1–R2 отключен. Тиристор управляется постоянным током управления. Зарисовать осциллограммы тока iа, входного напряжения выпрямителя u2, анодного напряжения тиристора ua(uак) и напряжения на нагрузке uн для двух значений тока управления. На рис.10 приведены временные диаграммы работы выпрямителя при токе управления Iу > Iу0, когда тиристор работает в диодном режиме; на рис.11 – при токе управления Iу < Iу0.
Среднее значение выпрямленного напряжения на нагрузке определяется по формуле: 
. Среднее значение выпрямленного тока: 
.
Рис.10. Временные диаграммы работы выпрямителя для Iу > Iу0
Рис.11. Временные диаграммы работы выпрямителя для Iу < Iу0
Контрольные вопросы
1. Как определить отпирающий ток управления тиристора?
2. Почему с ростом тока управления уменьшается напряжение переключения?
3. Почему процесс включения тиристора происходит лавинообразно?
4. Как влияет температура на характеристики управления и анодные?
5. Можно ли выключить однооперационный тиристор при помощи цепи управления?
6. Пояснить работу выпрямителя однофазного тока.
7. Сравнить диапазоны регулирования момента включения тиристора при управлении постоянным током, синусоидальным (амплитудный способ) и импульсным.
Таблица вариантов
| № вар. | U2m, B | Rн, Ом | α | № вар. | U2m, B | Rн, Ом | α |
| 1 | 15 | 100 | 30 | 13 | 25 | 150 | 30 |
| 2 | 20 | 120 | 40 | 14 | 30 | 170 | 40 |
| 3 | 25 | 140 | 50 | 15 | 35 | 130 | 50 |
| 4 | 30 | 160 | 60 | 16 | 40 | 180 | 60 |
| 5 | 35 | 180 | 70 | 17 | 45 | 200 | 70 |
| 6 | 40 | 200 | 80 | 18 | 50 | 170 | 80 |
| 7 | 45 | 100 | 90 | 19 | 55 | 130 | 90 |
| 8 | 50 | 120 | 100 | 20 | 60 | 200 | 100 |
| 9 | 55 | 140 | 110 | 21 | 20 | 210 | 110 |
| 10 | 60 | 160 | 120 | 22 | 40 | 220 | 120 |
| 11 | 15 | 120 | 130 | 23 | 15 | 120 | 130 |
| 12 | 20 | 130 | 140 | 24 | 20 | 140 | 140 |
Примечания:
1. Студенты, получившие подвариант А, рассчитывают и строят зависимость Ud = F(α); подвариант Б – рассчитывают и строят зависимость Id = F(α); подвариант В – временные диаграммы u2(t), uн(t), id(t), iу(t).
2. При расчете принимать Rн=120 Ом.
Работа №5
Исследование дифференциального включения операционного усилителя
Цель работы
Изучение характеристик и параметров дифференциального включения операционного усилителя.
Теоретическая частьПодключение сигнала Uвх1 аналогично подключению его в инвертирующем усилителе (рис.1). Второй сигнал Uвх2 поступает на неинвертирующий вход в точку 3. Резисторами R5–R7 создается делитель напряжения на этом входе. Из-за идеальности ОУ потенциалы точек 2 и 3 одинаковы, поэтому напряжение в этих точках можно приравнять: U2 = U3. Определение напряжений U2 и U3 показано ниже. При дифференциальном включении операционного усилителя (ОУ) используется два входа усилителя: инвертирующий и неинвертирующий. Для того чтобы усилитель работал на линейном участке амплитудной характеристики, необходимо охватить его отрицательной обратной связью. Обратная связь осуществляется так же, как и в инвертирующем усилителе. Напряжение с точек 6–12 через сопротивление обратной связи Rос1 поступает в точки 2–12. В результате получается параллельная обратная связь по напряжению.
(1)
(2)
(3)
(4)
После преобразования с учетом выражения (4) получается значение выходного напряжения:
(5)
Согласно полученному выражению выходного напряжения получаются следующие значения масштабных коэффициентов К1 и К2:
; 
, (6)
. (7)
Пусть Rос1= R4 и R7 = R5, тогда
. (8)
Если Rос1= nR4 и R7 = nR5, то значение выходного напряжения зависит от значения n:
. (9)
Вид амплитудной характеристики усилителя зависит от соотношения слагаемых выражения (7), так как может быть инвертирующего вида либо неинвертирующего.
|
 |
Рис.1. Дифференциальное включение операционного усилителя
Экспериментальная часть
Похожие работы
... от структуры силикатных стёкол, и способно выдерживать умеренные концентрации катионов (например, натрий до 0,1%), не увеличивая электропроводимость. Боратное стекло отвечает требованиям герметизации полупроводниковых приборов: свободно от щелочных металлов, уплотняется (спаивается) при температуре до 800С, относительно инертно и водонепроницаемо, имеет регулируемые коэффициенты температурного ...
... интегральным микросхемам. Они позволяют выполнять логическую обработку большого числа сигналов, воспроизводить сложные функции усиления, генерации и преобразования электрических сигналов. Тиристор – электропреобразовательный полупроводниковый прибор, содержащий три или более р-п-перехода. По числу внешних электродов тиристоры делятся на: двухэлектродные – динисторы и трехэлектродные – тринисторы. ...
... ). Перспективы развития микроэлектроники Функциональная микроэлектроника. Оптоэлектроника, акустоэлектроника, магнетоэлектроника, биоэлектроника и др. Содержание лекций 1 Цели и задачи курса “Электронные, квантовые приборы и микроэлектроника”. Физика полупроводников. p-n- переходы. Полупроводниковые диоды. Разновидности и характеристики. 2 Транзисторы. Принцип действия, разновидности и ...
... измениться в е раз из-за рекомбинации. Для диода с тонкой базой при низкой частоте постоянная времени равна (1.6) 2. РАСЧЕТ и исследование мощных низкочастотных диодов на основе кремния 2.1 Расчет параметров диода Проведем расчет и исследования статических и динамических характеристик 4H-SiC p+-п0-n+ диодов, рассчитанных на обратное напряжение 6, 10 и 20 кВ и ...
0 комментариев