Снятие амплитудной характеристики неинвертирующего усилителя на постоянном токе

95058
знаков
15
таблиц
68
изображений

2. Снятие амплитудной характеристики неинвертирующего усилителя на постоянном токе.

Снять амплитудную характеристику усилителя Uвых = F(Uвх) для заданного Rос1. В качестве источника сигнала использовать регулируемое напряжение Uрег. Построить амплитудную характеристику (рис.2) и по ней определить коэффициент усиления Кос, напряжения насыщений Uн+, Uн и динамический диапазон изменения амплитуды входного сигнала.

3. Снятие амплитудных характеристик неинвертирующего усилителя при помощи осциллографа.

Снять амплитудные характеристики усилителя при помощи осциллографа для трех значений Rос1: заданного и двух соседних. По характеристикам определить коэффициенты усиления. Для опыта необходимо подключить на инвертирующий вход в точку 13 генератор сигнала, используя у него переменный синусоидальный сигнал. В качестве источника переменного сигнала используется генератор синусоидальных и импульсных напряжений.

Для снятия зависимости данной величины от другой надо использовать два входа осциллографа: «Y» и «Х». Вход «Y» подключается к выходу усилителя в точку 6, а выход «Х» к входу усилителя в точку 13; развертка переключается в положение «Х».

4. Снятие амплитудно-частотной характеристики неинвертирующего усилителя.

Снять амплитудно-частотную характеристику (АЧХ) усилителя кu = F(f) при Uвх = const для заданного значения Rос1. Амплитуду выходного сигнала выбрать на линейном участке амплитудной характеристики. Сигналы uвх, uвых замерить осциллографом.

На амплитудно-частотной характеристике определить полосу пропускания усилителя 0…fв для коэффициента частотных искажений на верхних частотах Мв = . Зарисовать uвх(t) и uвых(t) для частоты 1 кГц.

5. Снятие амплитудных характеристик неинвертирующего усилителя.

Собрать схему неинвертирующего усилителя согласно рис.4.

Снять амплитудные характеристики усилителя при помощи осциллографа для трех значений резистора R3. Определить по характеристикам коэффициенты усиления и напряжения насыщения Uн+, Uн.

6. Снятие амплитудно-частотной характеристики неинвертирующего усилителя.

Снять амплитудно-частотную характеристику неинвертирующего усилителя кu = F(f) при Uвх = const для заданного значения Rос1.

Зарисовать uвх(t) и uвых(t) для частоты 1 кГц. По АЧХ определить полосу пропускания усилителя для коэффициента частотных искажений на верхних частотах Мв=.

7. Оформление отчета.

По результатам опыта построить характеристики усилителей, определить их параметры, обработать осциллограммы.

Контрольные вопросы

 

1.                Как определяется вид обратной связи в усилителе?

2.                Почему отрицательная обратная связь называется стабилизирующей обратной связью?

3.                Почему параллельная отрицательная обратная связь уменьшает входное сопротивление? Это является недостатком или достоинством?

4.                Как вывести коэффициенты усиления по напряжению для инвертирующего и неинвертирующего усилителей?

5.                Что называется амплитудной характеристикой усилителя?

6.                Что такое балансировка усилителя и как она осуществляется?

7.                Что представляет собой операционный усилитель? Каковы его параметры?

8.                Что называется амплитудно-частотной характеристикой усилителя? Как по ней определяются полоса пропускания и коэффициент частотных искажений?

Таблица вариантов

№ вар.

Кu

Uн±, В

№ вар.

Кu

Uн±, В

1 2 6,3 13 20 6,3
2 4 9,0 14 15 9,0
3 6 12,0 15 10 12,0
4 10 15,0 16 5 15,0
5 15 6,3 17 2 6,3
6 20 9,0 18 10 9,0
7 2 12,0 19 15 12,0
8 4 15,0 20 20 15,0
9 6 6,3 21 25 6,3
10 8 9,0 22 30 9,0
11 10 12,0 23 5 12,0
12 15 15,0 24 10 15,0

Примечание: студенты, получившие подвариант А, строят амплитудную характеристику и временные диаграммы uвх(t), uвых(t) для инвертирующего усилителя; подвариант Б – для неинвертирующего усилителя; подвариант В – вывод коэффициентов усиления по напряжению для усилителей.


Работа №8

Исследование компараторов на основе операционного усилителя

Цель работы

Изучение различных схем компараторов и их характеристик.

Теоретическая часть

Компаратором называется схема для сравнения двух напряжений. В зависимости от используемой элементной базы существуют аналоговые компараторы и цифровые. Аналоговые компараторы сравнивают величины напряжений порядка 1 – 15 В; цифровые компараторы сравнивают коды чисел.

Аналоговые компараторы разделяются на 4 вида: 1) одновходовые без обратной связи; 2) двухвходовые без обратной связи; 3) триггер Шмитта; 4) двухвходовый с положительной обратной связью.


Информация о работе «Исследование полупроводниковых приборов»
Раздел: Коммуникации и связь
Количество знаков с пробелами: 95058
Количество таблиц: 15
Количество изображений: 68

Похожие работы

Скачать
153271
6
6

... от структуры силикатных стёкол, и способно выдерживать умеренные концентрации катионов (например, натрий до 0,1%), не увеличивая электропроводимость. Боратное стекло отвечает требованиям герметизации полупроводниковых приборов: свободно от щелочных металлов, уплотняется (спаивается) при температуре до 800С, относительно инертно и водонепроницаемо, имеет регулируемые коэффициенты температурного ...

Скачать
21910
0
1

... интегральным микросхемам. Они позволяют выполнять логическую обработку большого числа сигналов, воспроизводить сложные функции усиления, генерации и преобразования электрических сигналов. Тиристор – электропреобразовательный полупроводниковый прибор, содержащий три или более р-п-перехода. По числу внешних электродов тиристоры делятся на: двухэлектродные – динисторы и трехэлектродные – тринисторы. ...

Скачать
50268
3
3

... ). Перспективы развития микроэлектроники Функциональная микроэлектроника. Оптоэлектроника, акустоэлектроника, магнетоэлектроника, биоэлектроника и др. Содержание лекций 1 Цели и задачи курса “Электронные, квантовые приборы и микроэлектроника”. Физика полупроводников. p-n- переходы. Полупроводниковые диоды. Разновидности и характеристики. 2 Транзисторы. Принцип действия, разновидности и ...

Скачать
43308
1
12

... измениться в е раз из-за рекомбинации. Для диода с тонкой базой при низкой частоте постоянная времени равна (1.6) 2. РАСЧЕТ и исследование мощных низкочастотных диодов на основе кремния   2.1 Расчет параметров диода Проведем расчет и исследования статических и динамических характеристик 4H-SiC p+-п0-n+ диодов, рассчитанных на обратное напряжение 6, 10 и 20 кВ и ...

0 комментариев


Наверх