Подать ток на первый испаритель меди и прогреть навеску до её полного расплавления. Ток – 300-400 А (при закрытой заслонке)

10. Подать ток на первый испаритель меди и прогреть навеску до её полного расплавления. Ток – 300-400 А (при закрытой заслонке)

Повторить переход 10 для второго испарителя меди

Подать ток на испаритель хрома и прогреть навеску.

Ток – 300-400 А, время прогрева 8-10 секунд (при закрытой заслонке)

13. Открыть заслонку и произвести напыление плёнки хрома.

Ток – 300 – 400 А, удельное сопротивление контрольного образца Ом/□ «свидетеля» задаётся технологом после пробного цикла напыления

Закрыть заслонку и прекратить подачу тока на испаритель

Подать ток на первый испаритель меди. Ток – 300 – 480 А

Открыть заслонку и произвести напыление меди до полного испарения навески. Момент полного испарения фиксируется по резкому падению тока.

Примечание. Интервал времени между напылениями хрома и меди не должен превышать 1 – 1,5 минуты

Закрыть заслонку и прекратить подачу тока на первый испаритель меди

Повторить переходы 15-17 для второго испарителя меди

Прекратить подачу тока на нагреватель подложек и охладить подложки до температуры 80º±5ºС

Выключить привод вращения карусели

Развакуумировать камеру карусели

Загрузить испарители навесками для напыления обратных сторон

Хром – 0,5 г., меди – 18,0 г. (в два испарителя по 9,0 г.)

С помощью специального механизма перевернуть подложки в подлоржкодержателях

Создать вакуум в рабочей камере

Остаточное давление не более 5х10-5 мм рт. ст.

Выключить привод вращения карусели

Скорость вращения 15 об/мин

27. Прогреть подложки и выдержать при заданной температуре

Температура - 250º±10ºС, время выдержки – 10 мин±1мин

28. Повторить переходы 10-21. В случае отсутствия металлизации на обратной стороне подложки переходы 22-27 не выполняются

Снять подложки пинцетом с подложкодержателей и поместить их в эксикатор с силикагелем. Хранить не более трёх суток с момента напыления

Провести визуальный контроль напылённых слоёв. На поверхности подложек не должно быть вздутий, отслоений, загрязнений, выплесков меди. Контролю подвергать 100% микроплат при увеличении не менее16х

Платы с напылёнными слоями передать на последующую операцию

4.8 Измерение удельного поверхностного сопротивления сплошных резистивных слоёв

Измерение проводится с помощью цифрового прибора измерения удельного поверхностного сопротивления полупроводниковых материалов ИУС-3 Дем 2.600.002, микроскопа стероскопического типа МБС-9 ТУЗ-3.1210-78. Используется также спирт этиловый ректификованный технический ГОСТ 18300-87; батист хлопчатобумажный ГОСТ 8474-80, силикагель технический ГОСТ 3956-76

Измерение удельного поверхностного сопротивления сплошных резистивных слоёв проводится следующим образом:

Протереть столик прибора, контактирующую головку, пинцет, напальчники батистом смоченным спиртом

Включить тумблер «сеть» и обеспечить прогрев прибора в течение 5 минут

Откинуть кожух на контактирующем устройстве прибора

Извлечь подложки из кассеты и поместить их на столик контактирующего устройства

Поставить рукоятку в положение «установ»

Совместить четыре отверстия прицела с местом измерения на подложке путём перемещения столика. Расстояние от зондов до края подложки должно быть не менее 5мм

Привести рукоятку в положение «измерение»

Найти диапазон измерения, на котором показания индикаторной лампы старшего разряда отличны от нуля и не гаснет индикаторная лампа младшего разряда. Производить с помощью переключения поддиапазонов

Записать установившееся показание прибора в рабочем журнале

Перевести рукоятку в положение «установ»

Замерить удельное поверхностное сопротивление в одной точке в центре на 100% подложек и в пяти точках (по углам и в центре) на одной подложке из партии. На обратной стороне подложки записать карандашом результаты измерений. Подложку следует считать забракованной при несоответствии удельного поверхностного сопротивления значению, указанному в КД

Примечание: замеры производить до термостабилизации и после термостабилизации плёнок

Поместить подложку на столик стереоскопического микроскопа. Контролю подвергать 100% микроплат при увеличении не менее 16х

Произвести контроль качества резистивного слоя. Слои, полученные вакуумным напылением, должны быть однородного цвета, без царапин, вздутий отслоений, пор, загрязнений и трещин

Допускаются: разнотонность напыленных слоёв, линии, обусловленные следами обработки подложек, не являющиеся царапинами напыленных слоёв, исчезающие при изменении направления освещённости

Рассортировать измеренные подложки по удельному сопротивлению, установить в кассету и поместить в эксикатор

Выключить прибор

16. Передать подложки на следующую операцию, заполнить технологический паспорт.

Выводы

Ознакомились со структурой предприятия и тематикой разработок. Рассмотрели особенности организации разработок изделий и технологической подготовки предприятия.

Ознакомились с нормативно-технической документацией: «Типовые технологические процессы микросборки плат тонкоплёночных» ОСТЧ ГО. 054.238, «Технология сборок микросборок общие требования» ОСТ 107.460091.004-88, «Техническое описание и инструкция по эксплуатации установки УВН-75П-1».

Ознакомились с работой отдела микроэлектроники: определить основные направления деятельности подразделения, ознакомиться с технической и научной базой отдела.

Произвели литературный обзор на тему «Тонкоплёночная технология изготовления ИС».

Произвели детальное изучение установки вакуумного напыления УВН-75П-1. Ознакомиться с возможностями и особенностями данной установки.

Изучили технологический маршрут напыления тонких плёнок на установке УВН-75П-1.

Произвели контроль тонкой резистивной плёнки на установке ИУС-3.

Список литературы

1.  Минайчев В.Е. Нанесение пленок в вакууме. – М.: Высшая школа. 1989. – 156 с.

2.  Степаненко И.П. Основы микроэлектроники. – М.: Лаборатория базовых знаний. 2004. – 488 с.

3.  Вакуумная техника: Справочник / Е.С. Фролов и др. – М.: Машиностроении. 1992. – 62-65 с.

4.  Розанов Л.И. Вакуумная техника. – М.: Высшая школа. 1990. – 239 с.

5.  Курносов А.И., Юдин В.В. Технология производства полупроволниковых приборов. – М.: Высшая школа. 1974. – 400 с.

6.  Метод термического испарения в вакууме [Электронный источник]. – http:// vak.htm

7.  ОСТЧ ГО. 054.238 Типовые технологические процессы микросборки плат тонкоплёночных

8.  ОСТ 107.460091.004-88 Технология сборок микросборок общие требования

9.  Техническое описание и инструкция по эксплуатации установки УВН-75П-1