5. Разработка топологии ИМС

5.1 Разработка библиотеки элементов

Разработку топологии проектируемой ИМС проведем с помощью пакета программ проектирования топологии ПАРОМ. В качестве исходной информации при проектировании используем фотографию кристалла ИМС TA2003 и проектные нормы на разработку топологии.

На первом этапе проектирования произведем замеры геометрических размеров областей образующих элементы ИМС TA2003 и исследуем их конфигурации. Используя полученные сведения о размерах и конфигурации элементов приступаем к разработке библиотеки элементов. Библиотека представляет собой набор файлов формата программы ПАРОМ. Каждый файл содержит топологию отдельного элемента. В файл топологии ИМС элементы вызываются из соответствующих файлов библиотеки.

Итак библиотека элементов приведена на рисунках 5.1 - 5.8.

К

 

Б

 

Э

 

Э

 

б)

 

а)

 

Б

 

К

 
  

Рисунок 5.1 – N-P-N транзисторы (в обозначении элементов N – n-p-n транзистор, 2514 – размеры транзистора: 25 – длинна, 14 – ширина. Масштаб 620:1)


а)

 

б)

 

Э

 

Э

 

Б

 

К

 

Э

 

Б

 

К

 

Э

 

Э

 

Э

 

К

 

Б

 

Э

 

Э

 

Э

 

Э

 

Б

 

К

 

в)

 

г)

 
 

Б

 

Б

 

Б

 

Э

 

Э

 

Э

 

Б

 

К

 

д)

 

Рисунок 5.2 – N-P-N транзисторы (в обозначении элементов N – n-p-n транзистор, 51183 – размеры транзистора: 511 – длинна, 83 – ширина. Масштаб 620:1)

Э

 

Э

 

Б

 

К

 

Э

 

Э

 

Э

 

Э

 

Б

 

К

 

б)

 

а)

 
 

Э

 

Э

 

Э

 

Э

 

Б

 

К

 

Э

 

Э

 

Б

 

К

 

г)

 

в)

 

Б

 

Э

 

Э

 

К

 

Б

 

Э

 

Э

 

Э

 

Б

 

К

 

е)

 

д)

 
 

Рисунок 5.3 – N-P-N транзисторы (в обозначении элементов N – n-p-n транзистор, 32254 – размеры транзистора: 32 – длинна, 25 – ширина, 4 –число эмиттеров)

Э

 

Б

 

К

 

Э

 

Э

 

Э

 

Э

 

К

 

Б

 

Э

 

Э

 

Э

 

Э

 

а)

 

б)

 

Э

 

Э

 

Б

 

К

 

Б

 

Э

 

Б

 

К

 
 

в)

 

г)

 

Э

 

Э

 

Э

 

Э

 

Б

 

Б

 

К

 

д)

 

Рисунок 5.4 – N-P-N транзисторы (в обозначении элементов N – n-p-n транзистор, 47274 – размеры транзистора: 47 – длинна, 27 – ширина, 4 –число эмиттеров)

Э

 

Э

 

Б

 

К

 

Э

 

Э

 

Э

 

Э

 

Б

 

К

 
 

б)

 

а)

 

Б

 

Э

 

К

 

в)

 

Рисунок 5.5 – N-P-N транзисторы ключевые (масштаб 620:1)

Э

 

Э

 

Б

 

К

 

б)

 

а)

 

Э

 

Б

 

К

 
  

К

 

К

 

Э

 

Э

 

Б

 

К

 

К

 

К

 

Э

 

Э

 

К

 

Б

 

в)

 

г)

 
 

е)

 

д)

 

Э

 

Э

 

Э

 

К

 

Б

 

Э

 

Э

 

К

 

К

 

Б

 

Б

 
 

Рисунок 5.6 – P-N-P транзисторы (в обозначении элементов P – p-n-p транзистор, 32432 – размеры транзистора: 32 – длинна, 43 – ширина, 2 –число эмиттеров)


Э

 

Э

 

Э

 

К

 

К

 

Б

 

Э

 

К

 

Э

 

К

 

Э

 

Э

 

Б

 

К

 

б)

 

а)

 
 

Рисунок 5.7 – P-N-P транзисторы (в обозначении элементов P – p-n-p транзистор, 32895 – размеры транзистора: 32 – длинна, 89 – ширина, 5 –число эмиттеров)

Б

 

К

 

Рисунок 5.8 – Диод (масштаб 620:1)

В разработанную библиотеку не включены во первых конденсаторы так как их количество мало, все они имеют различную емкость а следовательно различную конфигурацию. Во вторых не включены резисторы, так как конфигурация каждого из них индивидуальна. Необходимо также отметить что конфигурация конденсаторов и резисторов не однозначна и меняется в процессе разработки топологии.

После разработки библиотеки элементов, используя полученные результаты, приступим к следующему этапу – компоновке элементов и блоков.


Информация о работе «Разработка интегральной микросхемы АМ-ЧМ приёмника по типу TA2003»
Раздел: Коммуникации и связь
Количество знаков с пробелами: 68688
Количество таблиц: 16
Количество изображений: 64

0 комментариев


Наверх