2.3 Расчет входной цепи каскада

Амплитудное значение входного напряжения:

Выходное сопротивление каскада:

где

– выходное сопротивление транзистора.2.3.3

Выходная мощность каскада:

Коэффициент усиления каскада по напряжению:

2.4 Расчет КПД каскада для максимального входного сигнала

Среднее значение тока, потребляемого одним транзистором:

Мощность, потребляемая коллекторной цепью двух транзисторов:

P0к = 2EnI0=2·12∙1,92 = 46,31(Вт).

Мощность, потребляемая цепью смещения:

P0см = Еn ∙ Iдел = 12 ∙ 0,34 = 4,12 (Вт).

КПД каскада:


3. Расчет фазоинверсного каскада

Рисунок 3.1 – фазоинверсный каскад.

Исходными величинами для расчета каскада являются сопротивление нагрузки  и максимальная амплитуда напряжения на нагрузке. Этими значениями для фазоинверсного каскада являются параметры входной цепи выходного каскада  и  .

3.1 Выбор транзистора

Выбор транзистора производится по соотношению

где


- мощность, отдаваемая транзистором в нагрузку, то есть входную цепь выходного каскада;

 - мощность на входе выходного каскада;

- КПД трансформатора фазоинверсного каскада.

По справочнику [2] выбран транзистор КТ503Д со следуйщими параметрами:

Pкдоп25°С = 500мВт – максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность на коллекторе;

Uкдоп = 60В – максимально допустимое напряжение между коллектором и эмиттером;

Iкдоп = 300мА – максимально допустимый постоянный ток коллектора;

h21эmin = 40 – минимальный статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером;

Iк025°С = 1мкА = обратный ток коллектора.

Выбираем напряжение источника питания которое равно Eп = 12В.

3.2 Расчет режима работы

Амплитудное значение переменной составляющей коллекторного напряжения:

= Eп – Uкэmin - ∆Uкэ – Uэ = 12 – 1 – 0,42 – 2,4 = 8,18(В),

где Uкэmin = (0,5÷ 1)В = 1В;

Uэ ≈ (0,1÷ 0,3) Eп = 0,2Eк = 0,2 ∙ 12 = 2,4(В);

∆Uкэ ≈ (0,15 ÷ 0,2)Uэ = 0,175 ∙ 2,4 = 0,42(В).

Напряжение коллектор – эмиттер в режиме покоя:

Эквивалентное сопротивление коллекторной нагрузки:

Амплитуда переменной составляющей тока коллектора:

.

Ток покоя коллектора:

,

где Iкmin ≈ (0,5 ÷ 1)мА = 1мА;

;

Тогда:

Максимальная мощность, рассеиваемая на коллекторе транзистора:

3.3 Расчет параметров цепи стабилизации режима и цепи смещения

Коэффициент передачи тока эмиттера:

Сопротивление эмиттерной цепи:

Принимаем Rэ = 82 Ом

Сопротивления Rб1 и Rб2 в цепи делителя:

ПринимаемRб1=3000Ом


Принимаем Rб2 = 750 Ом

где SФИК = (5÷10) – коэффициент нестабильности фазоинверсного каскада.


Информация о работе «Проектирование усилителя низкой частоты»
Раздел: Промышленность, производство
Количество знаков с пробелами: 12304
Количество таблиц: 0
Количество изображений: 9

Похожие работы

Скачать
11701
0
7

... ЭВМ с целью проверки принятых решений и уточнения полученных результатов Таким образом целью данного курсового проектирования является приобретение практических навыков конструирования электронных схем и опыта моделирования электронных схем на ЭВМ на примере разработки схемы усилителя низкой частоты с заданными в техническом задании параметрами. 1 Расчетная часть   1.1 Анализ технического ...

Скачать
17843
4
2

... значение напряжения, В Тип элемента C1 42,8 39 25 K50 - 35 C2 4,8 4,7 25 K50 - 35 C3 4,8 4,7 25 K50 - 35 C4 1,9 1,8 25 K50 - 35 C5 186,6 180 25 K50 - 35 Заключение Целью курсового проекта являлось разработка, составление и расчёт схемы усилителя низкой частоты для переносной магнитолы. В ходе выполнения проекта была разработана схема электрическая структу

Скачать
18628
0
9

... устройства автоматики". Челябинск: ЮУрГУ, 2000. – 20с. В курсовом проекте рассматривается построение электронного устройства. Этот курсовой проект является одним из способов решения конструирования усилителя низкой частоты. Многие решения реализации функциональных блоков заимствованы из уже существующих реальных схем, поэтому многие данные приводятся на основе опытных данных. В основе данного ...

Скачать
35024
6
3

... линии, линии и участки гибкого автоматизированного производства (ГАП). При выполнении курсового проекта достаточно рассмотреть 2 варианта маршрутной технологии сборки и монтажа изделия. При этом необходимо руководствоваться схемами типовых технологических процессов сборки блоков РЭА с применением микросхем и навесных ЭРЭ (ОСТ 4ГО.054.267). Средства технологического оснащения, используемые при ...

0 комментариев


Наверх