В < 10 В

6 В < 10 В

P_{к макс} =20 мВт

( все условия проверяются позже).

Входная и выходная статистические характеристики транзистора ГТ310А приведены на рис. 1. На семействе выходных статистических характеристик проводим линии U_{кэ макс}, I_{к макс} и P_{к макс}, ограничивающие область нормальной работы транзистора.

Определяем величину тока базы (с учётом того, чтобы при изменении входного сигнала транзистор не попадал в режим отсечки)

 

I_б = 2∙│I_вх│ = 40 мкА

Для определения положения рабочей точки на семействе выходных статистических характеристик нужно задать U_кэ01. Разумно брать U_кэ01 минимальным т.к. тогда затраты на работу усилителя минимальны. Т.к. брать U_кэ01 < 1 В бессмысленно, при таком напряжении транзистор находится в нестабильной области, а мы ещё и имеем изменение входного тока. Поэтому возьмём U_кэ01 равным 2 В.

U_кэ01 = 2 В

	Iк’

			Iк0
							Uк’
					Uк0

Тогда

I_к01 = 1,9 мА I_э1 = I_к01 + I_б1 = 1,9 мА + 0,08 мА = 1,98 мА

Ток коллектора транзистора VT2 (рис. 2) будет равен удвоенному току эмиттера VT1.

 

I_к2 = 2∙I_э1 = 2·1,98 мА = 3,96 мА

	Рис. 2
			Iк0
					Uк0

Напряжение между эмиттером и землёй транзистора VT1 рекомендовано считать (0,3…0,4) Е_пт (см [6], ст 10). Возьмём его равным 0,4 Е_пт.

 Теперь следует выбрать Е_п. Оно должно быть как можно меньше, чтобы не рассевалась лишняя мощность. Минимальное подходящее стандартное Е_п=6В т.к. если взять Е_п=5 В то 5·0,4 = 2 В и падение напряжения на резисторе R₄ равно нулю т.к. 0,4·Еп - Uкэ02 = 2 В – 2 В = 0 В

U_эз = 6∙0,4 = 2,4 В

Тогда точка на прямой U_кэ (рис. 1) будет равна падению напряжения на VT1 и R3, а так как мы знаем U_эз то:

U_к1^’ = Е_п – U_эз = 6 В – 2,4 В = 3,6 В

I_к^’ < I_{к макс} (по графику нагрузочной прямой рис. 1)

Из графика видно, что при любом заданном изменении входного тока транзистор не выходит за эксплуатационные пределы.

Падение напряжения на резисторе R3 равно:

U_R3 = E_пт – U_эз – U_кэ = 6 В – 2,4 В – 2 В = 1,6 В

Соответственно R3 = U_R3/I_K0 = 1,6 В/(1,9∙10^-3) А= 842 Ом

Так же рекомендовано взять ток делителя равный пяти токам базы (см [6], ст 10):

I_б1 = 40 мкА

I_R1 = 6∙I_б1 = 0,24∙10^-3 А I_R2 = 5·I_б1 = 0,2·10^-3 А

Напряжение на резисторе R2 равно:

U_R2 = U_эз + U_эб1 =2,4 В + 0,28 В = 2,68 В

т.к. U_эб1 = 0,28 В (по графику рис. 1)

Тогда R2 = U_R2/I_R2 = 2,68 В/0,2·10^-3 А = 13,4 кОм

R1 =(E_пт – U_R2)/I_R1= (6 В – 2,68 В)/0,24·10^-3 А = 13,8 кОм

Напряжение на резисторе R4 равно:

U_R4 = 0,4·E_пт – U_кэ2 = 2,4 В – 2 В = 0,4 В

I_б2 = 0,08 мА (по графику рис. 2)

I_э2 = I_к2 + I_б2 = 3,96 мА + 0.08 мА = 4,04 мА

R4 = U_R4/ I_э2 = 0,4 В/4,04·10^-3 А = 100 Ом

По графику входных статистических характеристик:

I_б2 = 80 мкА I_R8 = I_б2 = 80 мкА

Напряжение на резисторе R8 равно:

U_R8 = E_пт – U_бэ2 – U_R4 = 6 В – 0,3 В – 0,4 В = 5,3 В

R8 = U_R8/I_б2 = 5,3 В/80·10^-6 В = 66 кОм

Расчёт мощностей используемых элементов.

Мощность транзистора VT1 в рабочей точке:

P_к0 = I_к0∙U_к0 = 3,8 мВт

Условие P_{к макс} > P_к0 выполняется.

Мощность транзистора VT1 в рабочей точке:

P_к0 = I_к0∙U_к0 = 7,92 мВт

Условие P_{к макс} > P_к0 выполняется.

Мощности резисторов:

P_R1 = I_R1∙U_R1 = 0,8 мВт

P_R2 = I_R2∙U_R2 = 0,54 мВт

P_R3 = I_R3∙U_R3 = 0,42 мВт

P_R4 = I_R4∙U_R4 = 1,62 мВт

P_R8 = I_R8∙U_R8 = 0,42 мВт

Потребляемая мощность равна

P_П = I_П∙E_П = (I_R1+ I_R3+ I_R5+ I_R6+ I_R8)∙E_П = 26,2 мВт

Так как элементы R1 и R2, R3 и R5, VT1 и VT3 соответственно равны, то равны и все их параметры.

Заключение.

Рассчитанный в данной работе дифференциальный усилитель имеет ряд преимуществ перед базовым (рассмотренным во введении) дифференциальным усилителем. Более стабильный источник тока т.к. ток подаётся через транзистор VT2. Наличие делителя тока делает усилитель стабильным при высоких и низких температурах. И вместе со всеми преимуществами усилитель потребляет сравнительно малую мощность что позволяет использовать маломощные элементы.

Список литературы.

1.       Разработка и оформление конструкторской документации радиоэлектронной аппаратуры: Справочник / Под ред. Э. Т. Романычевой. 2-е изд., и доп. М.: Радио и связь, 1989 448с.

2.       Степаненко И. П. Основы теории транзисторов и транзисторных схем. 4-е изд. перераб. и доп. М.: Энергия, 1977 360с.

3.       Транзисторы для аппаратуры широкого применения: Справочник. М.: Радио и связь, 1989. 656с.

4.       Резисторы: Справочник / Под общ. ред. И. И. Четверткова и В. М. Терехова. М.: Радио и связь, 1987 352с.

5.       Остапенко Г. С. Усилительные устройства: Учеб. Пособие для вузов. М.: Радио и связь. 1989 400с.

6.       А. В. Некрасов. Методические указания к курсовой работе по курсу электроника.

Приложения.

				Резистор МЛТ