Навигация
Выбор и обоснование элементной базы
12207
знаков
30
таблиц
0
изображений
1.6. Выбор и обоснование элементной базы.
Для проектирования было предложено выбрать элементы ТТЛ серий 155 и 555. После сравнения характеристик этих двух серий мною была выбрана 555 серия.
Потому что:
¾ во-первых, коэффициент разветвления у неё в два раза больше, чем у 155 серии, что в дальнейшем даст возможность не использовать дополнительные резисторы на входе схемы
¾ во-вторых, элементы 555 серии потребляют меньше мощности в отличие от серии 155, так как их максимальное напряжение и сила тока меньше, чем у 155 серии.
В 555 серию входят различные логические элементы общим числом 98 наименований. Их назначение заключается в построении узлов ЭВМ и устройств дискретной автоматики с высоким быстродействием и малой потребляемой мощностью.
Элементы И – НЕ в 555 серии содержат простые n-p-n транзисторы VT2 – VT4, многоэмиттерный транзистор VT1, а так же резисторы и диоды, количество которых зависит от конкретного элемента. Такая схема обеспечивает возможность работы на большую емкостную нагрузку при высоком быстродействии и помехоустойчивости.
В качестве индикатора выбран семисегментный индикатор АЛС320Б, один из немногих индикаторов способный отображать не только цифровую информацию, но и буквенную, что необходимо в проектируемом устройстве.
В моей схеме используется следующие микросхемы серии К555:
К555ЛА1, К555ЛА2, К555ЛА4, К555ЛН1, К555ЛН2
1.7. Описание используемых в схеме ИМС и семисегментного индикатора.
К555ЛА1
Два логических элемента 4И-НЕ
| № | Назначение | № | Назначение |
| 1 2 3 4 5 6 7 | Вход Х1 Вход Х2 Свободный Вход Х3 Вход Х4 Выход Y1 Общий | 8 9 10 11 12 13 14 | Выход Y2 Вход Х5 Вход Х6 Свободный Вход Х7 Вход Х8 Ucc |
DIP14
Пластик
| Тип микросхемы | К555ЛА1 |
| Фирма производитель | СНГ |
| Функциональные особенности | 2 элемента 4И-НЕ |
| Uпит | 5В ± 5% |
| Uпит (низкого ур-ня) | ≤ 0,5В |
| Uпит (высокого ур-ня) | ≥ 2,7В |
| Iпотреб (низкий ур-нь Uвых) | ≤ 2,2мА |
| Iпотреб (высокий ур-нь Uвых) | ≤ 0,8мА |
| Iвых (низкого ур-ня) | ≤ |-0.36|мА |
| Iвых (высокого ур-ня) | ≤ 0,02мА |
| P | 7,88мВт |
| tзадержки | 20нСек |
| Kразвёртки | 20 |
| Корпус | DIP14 |
К555ЛА2
Логический элемент 8И-НЕ
| № | Назначение | № | Назначение |
| 1 2 3 4 5 6 7 | Вход Х1 Вход Х2 Вход Х3 Вход Х4 Вход Х5 Вход Х6 Общий | 8 9 10 11 12 13 14 | Выход Y1 Свободный Свободный Вход Х7 Вход Х8 Свободный Ucc |
DIP14
Пластик
| Тип микросхемы | К555ЛА2 |
| Фирма производитель | СНГ |
| Функциональные особенности | элемент 8И-НЕ |
| Uпит | 5В ± 5% |
| Uпит (низкого ур-ня) | ≤ 0,5В |
| Uпит (высокого ур-ня) | ≥ 2,7В |
| Iпотреб (низкий ур-нь Uвых) | ≤ 1,1мА |
| Iпотреб (высокий ур-нь Uвых) | ≤ 0,5мА |
| Iвых (низкого ур-ня) | ≤ |-0,4|мА |
| Iвых (высокого ур-ня) | ≤ 0,02мА |
| P | 4,2мВт |
| tзадержки | 35нСек |
| Kразвёртки | 20 |
| Корпус | DIP14 |
К555ЛА4
Три логических элемента 3И-НЕ
| № | Назначение | № | Назначение |
| 1 2 3 4 5 6 7 | Вход Х1 Вход Х2 Вход Х4 Вход Х5 Вход Х6 Выход Y2 Общий | 8 9 10 11 12 13 14 | Выход Y3 Вход Х7 Вход Х8 Вход Х9 Выход Y1 Вход Х3 Ucc |
DIP14
Керамический
| Тип микросхемы | К555ЛА4 |
| Фирма производитель | СНГ |
| Функциональные особенности | 3 элемента 3И-НЕ |
| Uпит | 5В ± 5% |
| Uпит (низкого ур-ня) | ≤ 0,5В |
| Uпит (высокого ур-ня) | ≥ 2,7В |
| Iпотреб (низкий ур-нь Uвых) | ≤ 1,2мА |
| Iпотреб (высокий ур-нь Uвых) | ≤ 0,8мА |
| Iвых (низкого ур-ня) | ≤ |-0.36|мА |
| Iвых (высокого ур-ня) | ≤ 0,02мА |
| P | 11,8мВт |
| tзадержки | 15нСек |
| Kразвёртки | 20 |
| Корпус | DIP14 |
К555ЛН1
Шесть инверторов
| № | Назначение | № | Назначение |
| 1 2 3 4 5 6 7 | Вход Х1 Выход Y1 Вход Х2 Выход Y2 Вход Х3 Выход Y3 Общий | 8 9 10 11 12 13 14 | Выход Y4 Вход Х4 Выход Y5 Вход Х5 Выход Y6 Вход Х6 Ucc |
| |||
DIP14
Пластик
| Тип микросхемы | К555ЛН1 |
| Фирма производитель | СНГ |
| Функциональные особенности | 6 инверторов |
| Uпит | 5В ± 5% |
| Uпит (низкого ур-ня) | ≤ 0,5В |
| Uпит (высокого ур-ня) | ≥ 2,7В |
| Iпотреб (низкий ур-нь Uвых) | ≤ 6,6мА |
| Iпотреб (высокий ур-нь Uвых) | ≤ 2,4мА |
| Iвых (низкого ур-ня) | ≤ |-0.36|мА |
| Iвых (высокого ур-ня) | ≤ 0,02мА |
| P | 23,63мВт |
| Tзадержки | ≤ 20нСек |
| Kразвёртки | 20 |
| Корпус | DIP14 |
К555ЛН2
Шесть инверторов с открытым коллекторным выходом
| № | Назначение | № | Назначение |
| 1 2 3 4 5 6 7 | Вход Х1 Выход Y1 Вход Х2 Выход Y2 Вход Х3 Выход Y3 Общий | 8 9 10 11 12 13 14 | Выход Y4 Вход Х4 Выход Y5 Вход Х5 Выход Y6 Вход Х6 Ucc |
| |||
DIP14
Пластик
| Тип микросхемы | К555ЛН2 |
| Фирма производитель | СНГ |
| Функциональные особенности | 6 инверторов с открытым коллекторным выходом |
| Uпит | 5В ± 5% |
| Uпит (низкого ур-ня) | ≤ 0,5В |
| Uпит (высокого ур-ня) | ≥ 2,7В |
| Iпотреб (низкий ур-нь Uвых) | ≤ 6,6мА |
| Iпотреб (высокий ур-нь Uвых) | ≤ 2,4мА |
| Iвых (низкого ур-ня) | ≤ |-0.36|мА |
| Iвых (высокого ур-ня) | ≤ 0,02мА |
| P | 23,63мВт |
| Tзадержки | ≤ 32нСек |
| Kразвёртки | 20 |
| Корпус | DIP14 |
ИНДИКАТОР ЦИФРОВОЙ
АЛС320Б
| Название | АЛС320Б |
| Цвет свечения | зеленый |
| Н, мм | 5 |
| М | 1 |
| Lmin, нм | 555 |
| Lmax, нм | 565 |
| Iv, мДж | 0.15 |
| при Iпр, мА | 10 |
| Uпр max(Uпр max имп), В | 3 |
| Uобр max(Uобр max имп), В | 5 |
| Iпр max(Iпр max имп), мА | 12 |
| Iпр и max, мА | 60 |
| при tи, мс | 1 |
| при Q | 12 |
| Т,°С | -60…+70 |
Похожие работы
... кристалла. 2 - стеклянные пластинки, 3 - токопроводящий слой, 4 - диэлектрическая прокладка, 5 - поляризатор, 6 - источник электрического напряжения. Гомеотропная ориентация реализуется для жидких кристаллов с положительной диэлектрической анизотропией (De > 0) (рис. 5, б). В этом случае длинные оси молекул с продольным дипольным моментом располагаются вдоль направления поля перпендикулярно ...
0 комментариев