Навигация
Расчет цепи шунтирующего диода
14694
знака
4
таблицы
9
изображений
3.2.3 Расчет цепи шунтирующего диода
Из таблицы 4 проводим выбор шунтирующего диода VL2 по следующим показателям:
обратное напряжение диода 
ток эмиссии катода , 
внутреннее сопротивление диода , 
мощность рассеивания на аноде диода Paq = PL1.
Таблица 5.
По вычисленным показателям выбираем вакуумный диод типа ВИ2-30/25.
Выбираем источник питания, исходя из следующих значений
3.3 Расчет блокинг-генератора
В качестве подмодулятора возьмём блокинг-генератор (рисунок 4).
Сформулируем требования к блокинг-генератору на основе данных выбранной лампы-тиратрона - лампы ГМИ-2Б
Относительное изменение периода колебаний при изменении температуры от -60 до 60oC.
Руководствуясь требованиями к току нагрузки и длительности фронта выбираем высоковольтный кремниевый транзистор КТ 958 А.
Паспортные данные транзистора КТ 958 А:
Принимаем Eк примерно в 1.5...2 раза меньше максимально допуст. напряжения коллектор-эмиттер при закрытом транзисторе.
Пересчитаем сопротивление и ёмкость нагрузки в первичную обмотку
Оптимальный коэффициент трансформации цепи обратной связи:
Сопротивление стабилизирующего резистора:
Оценим величину длительности фронта выходных импульсов:
Оптимальный коэффициент трансформации цепи обратной связи:
Определим индуктивность первичной обмотки из двух условий
Так как величина паразитной емкости получилось относительно маленькой величины, то она не будет влиять на колебательный режим.
| Ф |
Вычисляем сопротевление резистора R:
| Проверяем, не превышает ли рассеиваемая на коллекторе мощность допустимой величины. |
Максимально допустимое обратное напряжение эмитер-база для транзистора КТ-958А составляет 4В. Поэтому, чтобы предотвратить пробой эмитерного перехода в цепи базы включим диод. Для этого можно использовать мезадиод 2Д503А, имеющий Uобрmax = 30В.
Исходя из заданной длительности импульса рассчитаем емкость хронирующего конденсатора
Величину Eсм/R определяем из условия надежного запирания транзистора q = Eсм / R = Iкдоп.
4. Литература
Расчёт промышленного КПД импульсного передатчика СВЧ
Промышленный КПД импульсного передатчика рассчитывается делением выходной мощности передатчика на суммарную потребляемую мощность от всех источников питания. В данном случае промышленный КПД будет рассчитываться по следующей формуле:
Похожие работы
... относительно малогабаритные антенны, отличающиеся остронаправленным действием и обладающие высокой разрешающей способностью, необходимой для повышения точности определения угловых координат объектов. 2. Особенности распространения СВЧ радиоволн По аналогии со световыми волнами УКВ распространяются прямолинейно и огибают лишь предметы, имеющие геометрические размеры, соизмеримые с длиной волны. ...
... дальности. Структурная схема моноимпульсной РЛС сопровождения 4. Расчёт и определение параметров структурной схемы РПРУ 4.1. Определение эквивалентных параметров антенны Проектируемый радиолокационный приемник имеет настроенную антенну, т.е. её сопротивление чисто активно и равно сопротивлению фидера: ZА = RА = Rф = 75 Ом ...
... обеспечение плотного электрического контакта по всему периметру щели. 6. Технико-экономическое обоснование 6.1 Характеристика технико-экономического обоснования проекта Разрабатываемый усилитель мощности миллиметрового диапазона длин волн предназначен для усиления сигнала и передачи его на определенное расстояние. Существенным преимуществом является тот факт, что устройство работает в ...
... потока энергии П3-18 В данной работе используется измеритель плотности потока энергии электромагнитного поля П3-18 предназначенный для измерения средних значений плотности потока энергии (ППЭ) электромагнитного поля (ЭМП) в дальней зоне СВЧ источников излучения и непосредственно на рабочих местах персонала, обслуживающего радиотехнические установки. Основные элементы измерителя ППЭ: ü ...
0 комментариев