Генератор тактовых импульсов КР580ГФ24
Системный контроллер КР580ВК28
Контроллеры интерфейса RS 232
Таймер КР580ВИ53
Контроллер прерываний КР580ВН59
Контроллер клавиатуры и дисплея КР580ВВ79
Микросхема ОЗУ К537РУ17
Микросхема ПЗУ К573РФ6
Микросхема дешифратора К155ИД3
Микросхема К514ИД2
Построение схем дешифрации адресов памяти
Построение схем дешифрации адресов устройств ввода-вывода
Навигация
Микросхема ПЗУ К573РФ6
Микропроцессорная система на базе комплекта КР580
27562
знака
20
таблиц
25
изображений
1.8 Микросхема ПЗУ К573РФ6
По заданию 48 кбайт – не обходимо 6 штук.
Для стирания записанной информации микросхему нужно извлечь из контактного устройства, замкнуть все ее выводы полоской фольги и поместить под источник УФ освещения, обеспечив ее обдув. Однако стирание можно произвести , не извлекая микросхему из контактного устройства, но тогда нужно отключить напряжение питания и сигналы. Типовые источники стирающего излучения - дуговые ртутные лампы и лампы с парами ртути в кварцевых баллонах: ДРТ-220, ДБ-8 и др. Излучение проникает к кристаллу РПЗУ через прозрачное окно в крышке корпуса. Время стирания 30...60 минут.
Для предохранения от случайного стирания информации окно в крышке корпуса закрывается специальной пленкой.
Рисунок 8. Условное обозначение микросхемы К573РФ6
Таблица 8. Назначение выводов микросхемы К573РФ6
| Выводы | Назначение | Обозначение |
| 2-10, 21,23,24,25 | Адресные входы | А0 – A12 |
| 11-13, 15-19 | Входы-выходы данных | DO0-DO2, DO3-DO7 |
| 20,26 | Выбор микросхемы | -CE0,CE1 |
| 22 | Разрешение по выходу | -OE |
| 27 | Сигнал записи - считывания | -WE |
| 28 | Напряжение питания | E+ |
| 1 | Свободный | --- |
| 14 | Общий | Gnd |
Таблица 8.1. Таблица истинности К573РФ6
| A | CE | OE | РК | Upр | Ucc | |
| Хранение | X | Uн | X | X | E+ | +5В |
| Считывание | А | 1Л | 1Л | Ш | E+ | +5В |
| Контроль записи | А | 1Л | 1Л | Ш | + 19В | +5В |
| Запись слова | А | Ш | Ш | Ш | +19В | +5В |
Похожие работы
... Следовательно, не возникает трудностей, если при построении микропроцессорной системы используются также некоторые микросхемы ТТЛ-технологии, имеющие широкое применение. Микросхемы комплекта КР580 характеризуются следующими параметрами: температурный диапазон: -10...+70 градусов по Цельсию; потребляемая мощность: 0,7 Вт; напряжение питания: КР580ВМ80А +5В, +12В, -5В, остальные БИС ...
... , а при открытии клапана 17, наоборот, уменьшается. Когда оба клапана закрыты, разрежение в полости 19 остается неизменным. Рисунок 4. Структурная схема микропроцессорной системы управления сцеплением В зависимости от разрежения в полости 19. сервокамеры меняется положение ее штока 21, и соответственно регулируется момент Мс, передаваемый сцеплением. Из рассмотрения зависимости Мс от ...
... напряжения. У ЦАП с токовым выходом этот параметр в большой степени зависит от типа выходного ОУ. Виды ЦАП Существуют последовательные и параллельные ЦАП. Последовательные –- используются в микропроцессорных системах, если не требуется высокое быстродействие. Среди параллельных - наиболее просты ЦАП с суммированием весовых токов Большинство схем параллельных ЦАП основано на суммировании ...
... устройства Составные части проектируемого устройства изображаются упрощенно в виде прямоугольников произвольной формы (Рисунок 2 – Структурная схема МПС), т. е. с применением условно-графических обозначений. Непосредственно рассматривая проектируемую мной МПС на базе I8080 в её составе можно следующие наиболее важных блоки: Генератор тактовых импульсов (ГТИ) – предназначен для создания ...
0 комментариев