Навигация
6.4 Екологічність проекту
Найбільш об'єктивним критерієм, використовуваним при екологічній експертизі виробництва, є збиток народному господарству, забрудненням навколишнього середовища.
6.4.1 Електромагнітні випромінювання
Основним джерелом при розробці блоку є відео дисплей ПК. Припустимі дози випромінювань строго регламентуються відповідно до /17/.
Конструкція відео дисплея повинна забезпечувати потужність експозиційної дози рентгенівського випромінювання в будь-якій крапці на відстані 5 див від екрана й корпуса відео дисплея при будь-яких положеннях регулювальних пристроїв не повинна перевищувати в перерахуванні на еквівалентну дозу 0,1 мбер/година (100 мкр/година).
Припустимі значення параметрів електромагнітних випромінювань наведені в таблиці 6.4.1.
Таблиця 6.4.1
| Найменування параметрів | Припустимі значення |
| Напруженість електромагнітного поля на відстані 50 див біля відео дисплея, не більше: у діапазоні частот (5..2000) Гц у діапазоні частот (2..400) кГц | 25 У/м 2.5 В/м |
| Щільність магнітного потоку, не більше у діапазоні частот (5..2000) Гц у діапазоні частот (2..400) кГц | 250 нтл 25 нтл |
| Поверхневий електростатичний потенціал, не більше | 500 У |
Висновки по потужності ЕМІ на робочому місці: потужність ЕМІ на робочому місці визначається потужністю ЕМІ відео дисплея й лежить у межах, установлених нормами.
6.4.2 Експертиза вентиляції
При виконанні монтажних робіт у результаті процесу пайки в повітря робочої зони виділяються шкідливі пари, що містять свинець, що ставиться до токсичних речовин /18/. Характеристикою забруднення повітря робочої зони є гранично припустима концентрація (ПДК) /15/: для свинцю ПДК=0.01мг/м , клас небезпеки-1, відносний коефіцієнт небезпеки - 1.7. Для того, щоб зміст шкідливих речовин у повітрі робочої зони не перевищувало ПДК, робоче місце обладнане місцевою вентиляцією /19/, що відводить шкідливі пари від робочого місця.
Крім цього необхідно забезпечити достатній повітрообмін у приміщенні. Для орієнтовних розрахунків, коли невідомо точна кількість речовин, що виділяються, розрахунок необхідної кількості повітря приймають по кратності повітрообміну ( формула 6.4.2 ) /15/.
L = Kp • V (6.4.2)
де Кр - кратність повітрообміну (для приміщень невеликого об'єму Кр=10);
V - об'єм приміщення ( V=144 м ? ).
Для використовуваної лабораторії необхідний повітрообмін 1440 м? у годину. Лабораторія обладнана двома кондиціонерами БК-1500, кожний з яких має потужність 1500 м?/ година, що забезпечує виконання санітарно-гігієнічних вимог.
Висновки по забезпеченню необхідної вентиляції в лабораторному приміщенні: у лабораторії забезпечена достатня кратність повітрообміну, що задовольняє вимогам /12/.
6.5 Надзвичайні ситуації
Вплив іонізуючих випромінювань і сильних електромагнітних випромінювань на напівпровідникові прилади й інтегральні мікросхеми. Можливий характер їхніх ушкоджень.
Для оцінки можливих порушень працездатності радіо компонентів і апаратури при впливі іонізуючих випромінювань (ІВ) необхідно мати інформацію про можливі види радіаційних ефектів, їхньої залежності від тимчасового масштабу процесу, різновиду й енергії іонізуючого випромінювання. Під радіаційним ефектом розуміють явище, що складається в зміні значень параметрів, характеристик і властивостей об'єкта в результаті впливу ІВ.
У цей час прийнято виділяти наступні радіаційні ефекти: ефекти зсуву, переносу заряду й іонізуючі ефекти.
Ефекти зсуви являють собою переміщення атомів з нормального положення в кристалічній решітці матеріалу. Ці переміщення супроводжуються виникненням структурних дефектів кристалічної решітки, до найпростішого з яких ставляться наявність вільних положень у решітці й додаткових атомах між її вузлами. В електронних пристроях ефекти зсуву впливають в основному на роботу напівпровідникових приладів.
Говорячи про ефекти зсуву, варто розрізняти довгострокові й короткочасні ефекти зсуву.
Довгострокові ефекти зсуву проявляються в необоротному після закінчення деякого часу після опромінення зміні різних параметрів напівпровідникових приладів, що залежить від інтегрального потоку часток і дози гамма-випромінювання, їхнього енергетичного спектра й температурних умов опромінення. За інших рівних умов більше твердий спектр випромінювання й знижених температур матеріалу, що опромінюється, приводять до росту числа структурних дефектів.
При опроміненні гамма-нейтронним випромінюванням ядерного вибуху (ЯВ) вплив гамма-випромінювання в процесі утворення структурних дефектів надзвичайно мало в порівнянні із впливом нейтронів. Тому його впливом на процес утворення структурних дефектів і відповідної їм необоротним змінам параметрів матеріалів і виробів можна зневажити.
Однак у деяких випадках, наприклад при впливі гамма-нейтронного випромінювання на уніполярні транзистори напівпровідник (Мдп-Структури), скла, органічні діелектрики, ефекти від гамма-випромінювання необхідно враховувати, тому що число структурних дефектів при впливі гамма-випромінювання порівнянне або істотно перевищує число дефектів, створюваних нейтронами.
Короткочасні ефекти зсуву проявляються в оборотних змінах параметрів об'єктів і характерні для імпульсного опромінення. Зміщені під дією опромінення нейтронами атоми в початковий момент часу є нестійкими утвореннями, більшість із них мають досить малу енергію активації, що визначає швидкість їхньої рекомбінації. Внаслідок цього значна частка створених дефектів структури за дуже малі проміжки часу знищуються, тобто частково відновлює вихідні властивості матеріалу. Однак поряд із процесами рекомбінації йдуть процеси пов'язані з перегрупуванням структурних ушкоджень, взаємодією їх з атомами домішки й дефектами структури.
При тривалості опромінення, значно перевищуючі характерні часи таких процесів, доводиться мати справа з необоротними ушкодженнями або повільними й слабко вираженими процесами відновлення параметрів.
Ефекти переносу заряду обумовлені передачею кінетичної енергії полів іонізуючого випромінювання вторинним часткам і проявляються у вигляді несталих струмів. При русі вторинних заряджених часток створюються електричні й магнітні поля, а також протікають несталі струми, що залежать від потужності дози опромінення.
Ці ефекти можуть привести до появи помилкових сигналів і збоїв в апаратурі, а так само до виходу з ладу окремих вузлів.
Іонізаційними називаються ефекти, викликані носіями заряду з низьким рівнем енергії. Вони відрізняються від ефектів переносу заряду, які визначаються як зсув зарядів енергетичними частками. Число пара визначається тільки кількістю енергії, виділюваної на іонізацію.
Іонізаційні ефекти проявляються у вигляді перехідних ефектів (ефектів вільних носіїв), проміжних ефектів, довгострокових ефектів захоплених носіїв і хімічних ефектів.
Перехідні ефекти пов'язані з утворенням вільних носіїв. У напівпровідниках концентрація вільних носіїв може бути оцінена в припущенні, що витрата енергії на утворення однієї пари дорівнює трьох-п'ятикратному значенню потенціалу іонізації.
Проміжні ефекти пов'язані з тим, що в діелектриках і ізоляторах захоплені на вловлювачі носії можуть знову вивільнитися за рахунок теплових ефектів.
Іонізаційні ефекти при впливі випромінювання викликають утворення в апаратурі надлишкових зарядів, поява яких у діелектриках і ізоляторах знижує їхні ізолюючі властивості, а в напівпровідниках - до утворення надлишкових іонізаційних струмів. У результаті виникають оборотні зміни параметрів апаратури, що перебуває у включеному стані, що може приводити до тимчасової втрати її працездатності, помилковим спрацьовуванням і збоям /21/.
На закінчення потрібно додати, що за критерієм безперебійної роботи підвищення стійкості апаратури до імпульсного гамма-випромінювання тільки вибором стійких комплектуючих виробів обмежено, як правило, потужністю дози порядку 107 .. 108 Р/c /22/, а при застосуванні інтегральних мікросхем, виготовлених за технологією КМОП, 1010 .. 1012 P/c.
Висновки по безпеці й екологічності проекту: на підставі раніше зроблених висновків можна затверджувати, що при дотриманні техніки безпеки й правил експлуатації блоку ПЗК, сьогодення виріб є безпечним при виготовленні й експлуатації.
БІБЛІОГРАФІЧНИЙ СПИСОК
1. СН 245-71. Санітарні норми проектування промислових підприємств.
2. ДЕРЖСТАНДАРТ 12.1.038-82. ССБТ. Гранично припустимі рівні напруг доторкань і струмів.
3. ДЕРЖСТАНДАРТ 12.1.019-79. ССБТ. Електробезпечність. Загальні вимоги.
4. ДЕРЖСТАНДАРТ 12.1.030-81. ССБТ. Захисне заземлення. Звіроферма.
5. ОНТП 24-86. Загальносоюзні норми технологічного проектування. Визначення категорій приміщень і будинків по пожежної небезпеки.
6. ДЕРЖСТАНДАРТ 12.4.009-85. ССБТ. Пожежна техніка для захисту об'єктів. Загальні вимоги.
7. ДЕРЖСТАНДАРТ 12.1.033-81. ССБТ. Пожежна безпека об'єктів з електричними мережами.
8. Снип II-4.79. Будівельні норми й правила. Норми проектування. Природне й штучне висвітлення.
9. ДЕРЖСТАНДАРТ 12.2.032-78 ССБТ. Робоче місце при виконанні робіт сидячи. Загальні ергономічні вимоги.
10. ДЕРЖСТАНДАРТ 22.269-76. Система “людина-машина”. Робоче місце оператора. Тимчасове розташування елементів робочого місця. Загальні ергономічні вимоги.
11. ДЕРЖСТАНДАРТ 27.818-88. Машини обчислювальні й системи обробки даних. Припустимі рівні шуму на робочих місцях і методи його визначення.
12. ДЕРЖСТАНДАРТ 12.1.005-88 ССБТ. Повітря робочої зони. Загальні санітарно-гігієнічні вимоги.
13. ДЕРЖСТАНДАРТ 12.4.113-82 ССБТ. Роботи навчальні лабораторні. Загальні вимоги безпеки.
14. Санпин 2.2.2.542-96. Гігієнічні вимоги до відео дисплейних терміналів, персональним електронно-обчислювальним машинам і організація роботи.
15. ДЕРЖСТАНДАРТ 12.0.003-74. ССБТ. Небезпечні й шкідливі виробничі фактори.
16. СН 952-75. Санітарні правила організації процесу пайки дрібних деталей сплавами, що містять свинець.
17. ДЕРЖСТАНДАРТ 18298-79. Стійкість апаратури, що комплектують елементів і матеріалів радіаційна. Терміни й визначення.
18. Мирова Л.О., Чипиженко А.З. Забезпечення радіаційної стійкості апаратури зв'язку. – К., 2005
19. Вавилов В.С., Ухин Н.А. Радіаційні ефекти в напівпровідниках і напівпровідникових приладах. – К., 2005
Похожие работы
... 11010,5 4983 2 9966 2 9966 ТЦ-160000220 ТЦ-160000110 РАЗОМ: НАВЕДЕНІ ВИТРАТИ 1.7 Обґрунтування головної схеми електричних з'єднань електричної станції Головна схема електричних з'єднань електростанції вибирається на підставі декількох технічних прийнятних варіант ...
... Коефіціент загальних гармонічних спотворень Діапазон робочих температур PH Вт RHОм RдкOм UдВ FH Гц Fb кГц MH дБ Hb дБ Kг% Tmin Tmax ºC 8 Розрахунок схеми підсилювача, кінцевий каскад якого на зібраних комплементарних парах транзистора, з двополярним джерелом електроживлення 25 14 240 0,08 38 8 1,8 1,6 0,8 10-50 3.1 ...
... дипломного проекту. Рисунок 3.1 – Схема електрична структурна пристрою контролю середнього значення кутової швидкості 4. Розробка принципової схеми комп’ютеризованої вимірювальної системи параметрів електричних машин з газомагнітним підвісом 4.1 Аналіз лінійного фотоприймача Фотоелектричні перетворювачі площа-напруга (ППН) використовуються у багатьох пристроях, таких як перетворювач ...
... Вологість дошки в точці 2 Аналоговий % 5…100 – 4. Функціональна структура системи управління Функціональна схема автоматизації є основним документом, який визначає функціонально-блокову організацію структури керування. Для процесу вакуумної сушки деревини функціональна схема приведена в графічній частині проекту (лист 6). Система складається з лісосушильної камери, вентиляторів, насос ...
0 комментариев