Исследование зависимости времени жизни от концентрации легирующей примеси
Исследование свойств диффузионной длины неосновных носителей
Исследование модели контактной разности потенциалов
Исследование влияния температуры и концентрации примесей в База на вид ВАХ для PSPICE модели идеального диода
Исследование влияние процессов высокого уровня инжекции на вид ВАХ для PSPICE модели диода
Исследование ВФХ барьерной емкости в зависимости от ее входных параметров
Навигация
Исследование влияния температуры и концентрации примесей в База на вид ВАХ для PSPICE модели идеального диода
Модели полупроводниковых диодов
15836
знаков
27
таблиц
26
изображений
1. Исследование влияния температуры и концентрации примесей в База на вид ВАХ для PSPICE модели идеального диода
Модель ВАХ идеального диода:
Is – ток насыщения
φT – тепловой потенциал.
Модель идеального диода в логарифмическом масштабе:
Изменение концентрации примеси в базе влияет на ток насыщения (при увеличении концентрации, ток насыщения уменьшается), при этом ВАХ изменяется следующим образом:
Материал | Ge | Si | Ge(T+50) | Si(T+50) |
| Is, A | 4,23Е-7 | 2,73Е-14 | 2,26Е-5 | 1,9Е-11 |
Т=300°К
Т+50=350°К
|
|
|
Для реальных переходов величина Is не является постоянной и в момент зависеть от напряжения, приложенного к переходу.
Это может быть вызвано, например, изменением свойств п/п (время жизни носителей, концентрации примесей) по объему Is в основном определяется удельным сопротивлением материала – с ρ, Is (что обусловлено увеличением концентрации неосновных носителей).
2. Исследование влияния процессов генерации-рекомбинации в ОПЗ на вид ВАХ для PSPICE модели диода
Уточненная модель ВАХ диода при прямом смещении с учетом процессов генерации-рекомбинации в ОПЗ:
φК – контактная разность потенциала
М – коэффициент лавинного умножения
ISR – ток насыщения ток рекомбинации
m – коэффициент неидеальности.
Влияние процессов генерации-рекомбинации (параметр N) на вид ВАХ:
|
|
При увеличении коэффициента неидеальности, N возрастает прямого тока начинается при больших значениях напряжения, чем в модели идеального диода.
Диапазоны напряжений, в которых начинает преобладать ток генерации-рекомбинации:
| Ge Uпр = 0,62¸0,9 В | Si Uпр = 1,8¸2,2 В |
Протекание процессов генерации-рекомбинации приводит к увеличению тока как в прямом, так и в обратном направлению.
Процессы генерации и рекомбинации связаны с различными концентрациями свободных носителей заряда (в области объемного заряда) при различных напряжениях на переходе.
Похожие работы
... ; – температурный коэффициент напряжения (ТКН) стабилизации, где DUст – отклонение напряжения Uст от номинального значения Uст ном при изменении температуры в интервале DТ. Варикап – полупроводниковый диод, действие которого основано на использовании зависимости зарядной емкости Сзар от значения приложенного напряжения. Это позволяет применять варикап в качестве элемента с электрически ...
... плана ФЭ. Большое разнообразие моделей РК приводит к необходимости использования разнообразных способов и технических средств для измерения их параметров. Как правило, статические и динамические параметры РК измеряют на разных технологических установках. Методы построения средств измерения для идентификации моделей РК могут быть сведены к следующим принципам, учитывающим особенности подключения ...
... измениться в е раз из-за рекомбинации. Для диода с тонкой базой при низкой частоте постоянная времени равна (1.6) 2. РАСЧЕТ и исследование мощных низкочастотных диодов на основе кремния 2.1 Расчет параметров диода Проведем расчет и исследования статических и динамических характеристик 4H-SiC p+-п0-n+ диодов, рассчитанных на обратное напряжение 6, 10 и 20 кВ и ...
... приводит к появлению сигнала на индикаторном устройстве. Минимальное регистрируемое виброперемещение зависит от собственных шумов генератора, его мощности и стабильности, а также от механической стабильности устройства. Бесконтактное измерение параметров вибраций резонаторным методом возможно и при включении приемно-передающей антенны в частотнозадающую цепь СВЧ генератора, т.е. при ...
0 комментариев