Современное состояние разработок усилителей мощности миллиметрового диапазона длин волн
Анализ требований к импульсному модулятору для ЛБВ
Разработка и обоснование структурной схемы проектируемого устройства
Структурные схемы источника питания и выбор элементной базы
А) - вариант с импульсным трансформатором
Расчет электрический основных узлов источника питания
Толщина катушки, включающая в себя обмотки, каркас и электроизоляционные зазоры
Масса второй обмотки
ОХРАНА ТРУДА И ЭКОЛОГИЧЕСКАЯ БЕЗОПАСНОСТЬ
Применение электромагнитных помещенй и замкнутых экранов для защиты от электромагнитных полей
Технико-экономическое обоснование
Определение себестоимости товара и рыночной цены
Расчет затрат у производителя
Расчет затрат у потребителя
Навигация
Анализ требований к импульсному модулятору для ЛБВ
Усилитель мощности миллиметрового диапазона длин волн
108385
знаков
14
таблиц
13
изображений
2.3 Анализ требований к импульсному модулятору для ЛБВ
Импульсный модулятор предназначен для формирования мощных видеоимпульсов, управляющих напряжением на управляющем электроде ЛБВ. Модулятор является сложным и ответственным устройством любого передатчика и от его устойчивой работы зависит обеспечение ряда важных характеристик блока.
Сформируем требования к модулятору.
Таблица 2.1 – Требования к модулятору
| №/№ п/п | Параметр | Значение параметра | Примечания |
| 1 | 2 | 3 | 4 |
| 1. | Частота повторения импульсов, Гц | 8000 | |
| 2. | Длительность импульса, мкс | 12 | |
| 3. | Длительность переднего фронта импульса, мкс | £0,1 | |
| 4. | Длительность заднего фронта импульса, мкс | <0.2 | |
| 5. | Скважность | ³10 | |
| 6. | Напряжение на выходе модулятора, В Отрицательное в паузе, Положительное в импульсе | 1800 0-100 | ТЗ на ЛБВ |
| 7. | Емкость нагрузки Спар, пф | £50 | |
| 8. | Ток нагрузки в импульсе, mA | £2 | |
| 9. | Питание модулятора, В | Уточняется при проектировании | |
| 10. | Импульс запуска (ИЗМ) от синхронизатора, В | ТТЛ |
Проведем анализ требований к модулятору, представленных в таблице.
Пункты 1, 2, 5, 6 являются директивными и обсуждению не подлежат.
Пункт 3, 4. Длительность импульса модулятора может быть больше длительности СВЧ импульса, так как длительность фронтов огибающей СВЧ импульса всегда меньше, чем у модулирующего импульса в силу действия закона степени 3/1.
Пункт 7. Определяется параметрами ЛБВ.
Пункт 8. Определяется параметрами ЛБВ.
Пункт 9. Определяется параметрами ЛБВ.
В соответствии с техническими характеристиками ЛБВ амплитуда импульса должна быть не менее 1500 В. Длительность фронта импульса tфи = 0.2 мкс. Емкость управляющий электрод – катод – Свх = 50 пФ. Определим мощность которую должен обеспечить модулятор (Рфи), чтобы зарядить входную емкость Свх на 1500 В, за время длительности фронта импульса.
Рфи = (СU)2/2tфи = 300 Вт. (2.2)
Видно, что несмотря на отсутствие тока управляющего электрода, импульсный модулятор должен обеспечивать очень большую мощность для формирования заданного значения длительности фронта импульса.
Похожие работы
... шумы анализатора), называют динамическим диапазоном по комбинационным помехам . Динамический диапазон по комбинационным помехам в анализаторах спектра миллиметрового диапазона волн в основном определяются КВЧ преобразователями входных сигналов. Исторически на начальных этапах освоения мм диапазона длин волн предпочтение отдавалось гармониковым преобразователям частоты и анализаторам ...
... , то необходимость в дополнительной линии передачи вообще отпадает при передаче энергии на сотни километров, поскольку вся излучаемая энергия может быть перехвачена приемным устройством с апертурой приемлемых размеров. В диапазоне субмиллиметровых волн отношение допустимых размеров апертур к длине волны заметно уменьшается, тем не менее в ряде случаев подобные квазиоптические линии передачи могут ...
... снизить вероятность возникновения пожаров на данном объекте. ЗАКЛЮЧЕНИЕ С целью обеспечения безопасности движения речного транспорта в камере шлюза Усть-Каменогорской гидроэлектростанции в данном дипломном проекте была разработана радиолокационная станция обнаружения надводных целей, она гораздо эффективнее, чем, например система видео наблюдения. Были рассчитаны основные тактико- ...
ного слоя (рис. 2), перемещающегося вдоль образца от катода к аноду. Рис.1. Аппроксимированная зависимость дрейфовой скорости электронов от напряженности электрического поля для GaAs. Рис.2. К пояснению процесса формирования слоя накопления в однородно легированном GaAs. Под катодом понимается контакт к образцу, на который подан отрицательный потенциал. Возникающие при этом ...
0 комментариев