Навигация
Кінцева схема з вказаними номіналами елементів
23943
знака
6
таблиц
21
изображение
2.3.3 Кінцева схема з вказаними номіналами елементів
Схема представлена на рис. 2.11.
2.3.4 Амплітудно-частотна характеристика фазозсуваючого ланцюга
Для визначення АЧХ ланцюга (рис. 2.12) представимо його у більш загальному вигляді в частотній області (рис. 2.13). Де
, 
.
 | |||
 | |||
Тоді вихідну напругу можна розрахувати виходячи з уявлень про дільник напруги
,
А коефіцієнт передачі
,
;
АЧХ
.
Графік АЧХ наведений на рис. 2.14.
2.3.5 Висновки
Як видно з АЧХ (див. рис. 2.14), міст Віна являє собою смуговий фільтр, тому при використанні в ланцюгу зворотного зв’язку генератора дозволяє генерацію лише певних частот.
Висновки по роботі
Використання операційних підсилювачів в різноманітних схемах дозволяє спростити розрахунок цих схем, адже на відміну від транзисторів та інших дискретних активних елементів, операційні підсилювачі мають параметри близькі до ідеальних (надзвичайно великий вхідний опір, малий вихідний опір, дуже велике значення коефіцієнту підсилення та відсутність власного зворотного зв’язку). На ОП можна будувати звичайні підсилювачі, фільтри, генератори, інвертори імпедансу та інші схеми, до того ж в інтегральному виконанні. В той час як розрахунок найпростішої схеми на одному транзисторі потребує застосування графоаналітичного методу і в цілому є дуже складним.
Список літератури
1. Терещук Р.М, Терещук К.М., «Полупроводниковые приемно-усилительные устройства». «Наукова думка», Киев, 1987.
2. Гусев В.Г., Гусев Ю.М., «Электроника». «Высшая школа», Москва, 1991.
3. Галкин В.И., Булычев А.Л., «Полупроводниковые приборы». «Беларусь» Минск 1987.
Поз. познач. | Найменування | Кіл. | Примітка | ||||||||
|
| Компоненти схеми рис. 2.4, а |
|
| ||||||||
|
|
|
|
| ||||||||
|
| Резистори |
|
| ||||||||
| R1 | 1206 23,7 кОм | 1 |
| ||||||||
| R2 | 2512 301 Ом | 1 |
| ||||||||
|
|
|
|
| ||||||||
|
| Конденсатори |
|
| ||||||||
| C1 | GRM18 3,3 мкФ | 1 | Murata | ||||||||
| C2 | GRM18 47 мкФ | 1 | —————||————— | ||||||||
|
|
|
|
| ||||||||
|
| Транзистори |
|
| ||||||||
| VT1 | МП39 | 1 |
| ||||||||
|
|
|
|
| ||||||||
|
| Компоненти схеми рис. 2.4, б |
|
| ||||||||
|
|
|
|
| ||||||||
|
| Резистори |
|
| ||||||||
| R1 | 1206 11,3 кОм | 1 |
| ||||||||
| R2 | 2512 301 Ом | 1 |
| ||||||||
|
|
|
|
| ||||||||
|
| Конденсатори |
|
| ||||||||
| C1 | GRM18 0,33 мкФ | 1 | Murata | ||||||||
| C2 | GRM18 47 мкФ | 1 | —————||————— | ||||||||
|
|
|
|
| ||||||||
|
| Транзистори |
|
| ||||||||
| VT1 | МП39 | 1 |
| ||||||||
|
|
|
|
| ||||||||
|
|
|
|
| ||||||||
|
|
|
|
| ||||||||
|
|
|
|
|
|
| ||||||
|
|
|
|
|
| |||||||
| Змн.
| Арк.
| № докум.
| Підпис
| Дата
| |||||||
| Розроб.
| ανι9526
|
|
| Специфікація (схема електрична принципова) | Літ.
| Арк.
| Аркушів
| ||||
| Перевір.
| ****
|
|
|
|
|
| 26
| 28
| |||
| Реценз.
|
|
|
|
| |||||||
| Н. Контр.
|
|
|
| ||||||||
| Затверд.
|
|
|
| ||||||||
| Поз. познач. | Найменування | Кіл. | Примітка | ||||||||
|
| Компоненти схеми рис. 2.6, а |
|
| ||||||||
|
|
|
|
| ||||||||
|
| Резистори |
|
| ||||||||
| R1, R2 | 1206 10,2 кОм | 2 |
| ||||||||
|
|
|
|
| ||||||||
|
| Конденсатори |
|
| ||||||||
| C1 | GRM18 3,9 нФ | 1 | Murata | ||||||||
|
|
|
| |||||||||
|
| Мікросхеми |
|
| ||||||||
| DA1 | К140УД9 | 1 |
| ||||||||
|
|
|
|
| ||||||||
|
| Компоненти схеми рис. 2.6, б |
|
| ||||||||
|
|
|
|
| ||||||||
|
| Резистори |
|
| ||||||||
| R1, R2 | 1206 7,15 кОм | 2 |
| ||||||||
| R3 | 1206 14,3 кОм | 1 |
| ||||||||
|
|
|
|
| ||||||||
|
| Конденсатори |
|
| ||||||||
| C1 | GRM18 8,2 нФ | 1 | Murata | ||||||||
| C2 | GRM18 3,9 нФ | 1 | —————||————— | ||||||||
|
|
|
|
| ||||||||
|
| Мікросхеми |
|
| ||||||||
| DA1 | К140УД9 | 1 |
| ||||||||
|
|
|
|
| ||||||||
|
|
|
|
| ||||||||
|
|
|
|
| ||||||||
|
|
|
|
| ||||||||
|
|
|
|
| ||||||||
|
|
|
|
|
|
| ||||||
|
|
|
|
|
| |||||||
| Змн.
| Арк.
| № докум.
| Підпис
| Дата
| |||||||
| Розроб.
| ανι9526
|
|
| Специфікація (схема електрична принципова) | Літ.
| Арк.
| Аркушів
| ||||
| Перевір.
| ****
|
|
|
|
|
| 27
| 28
| |||
| Реценз.
|
|
|
|
| |||||||
| Н. Контр.
|
|
|
| ||||||||
| Затверд.
|
|
|
| ||||||||
| Поз. познач. | Найменування | Кіл. | Примітка | ||||||||
|
| Компоненти схеми рис. 2.11 |
|
| ||||||||
|
|
|
|
| ||||||||
|
| Резистори |
|
| ||||||||
| R1 | 1206 16,2 кОм | 1 |
| ||||||||
| R2, R3 | 1206 6,65 кОм | 2 |
| ||||||||
| R4 | 1206 56,2 кОм | 1 |
| ||||||||
|
|
|
|
| ||||||||
|
| Конденсатори |
|
| ||||||||
| C1, C2 | GRM18 8,2 нФ | 2 | Murata | ||||||||
|
|
|
| |||||||||
|
| Мікросхеми |
|
| ||||||||
| DA1 | К140УД9 | 1 |
| ||||||||
|
|
|
|
| ||||||||
|
|
|
|
| ||||||||
|
|
|
|
| ||||||||
|
|
|
|
| ||||||||
|
|
|
|
| ||||||||
|
|
|
|
| ||||||||
|
|
|
|
| ||||||||
|
|
|
| |||||||||
|
|
|
|
| ||||||||
|
|
|
|
| ||||||||
|
|
|
|
| ||||||||
|
|
|
|
| ||||||||
|
|
|
|
| ||||||||
|
|
|
|
|
|
| ||||||
|
|
|
|
|
| |||||||
| Змн.
| Арк.
| № докум.
| Підпис
| Дата
| |||||||
| Розроб.
| ανι9526
|
|
| Специфікація (схема електрична принципова) | Літ.
| Арк.
| Аркушів
| ||||
| Перевір.
| **** |
|
|
|
|
| 28
| 28
| |||
| Реценз. |
|
|
|
| |||||||
| Н. Контр.
|
|
|
| ||||||||
| Затверд.
|
|
|
| ||||||||
Похожие работы
... ється в p і n областях: lp-n = lp + ln: , звідси , де ε – відносна діелектрична проникність матеріалу напівпровідника; ε0 — діелектрична постійна вільного простору. Товщина електронно-діркових переходів має порядок (0,1-10)мкм. Якщо , то і p-n-перехід називається симетричним, якщо , то і p-n-перехід називається несиметричним, причому він в основному розташовується у області напі ...
... 4. Як графічно позначаються польові транзистори? Інструкційна картка №9 для самостійного опрацювання навчального матеріалу з дисципліни «Основи електроніки та мікропроцесорної техніки» І. Тема: 2 Електронні прилади 2.4 Електровакуумні та іонні прилади Мета: Формування потреби безперервного, самостійного поповнення знань; розвиток творчих здібностей та активізації розумово ...
... і ключі реалізовані із зворотними зв’язками на діодах Шоткі. Це дозволило значно підвищити швидкодію схем і є зараз основою надвеликих інтегральних схем, які в свою чергу є базою всієї комп'ютерної електроніки. Окрім цього використовуються елементи емітерно-зв’язної логіки (ЕЗЛ) (на основі диференційних каскадів струмових ключів), n-, p- МОН логіка (на польових транзисторах) та комплементарна ...
... Uбе,В Розрахунок резонансного підсилювача потужності 1. Визначимо ємність активної області колекторного переходу. Ска=Ск/(1+Кс) = ...
0 комментариев