СР *

_{7 СР *} R₁₂ . U_R12 = 1.46_*0.4=0.59 B (3.8)

 

Выбираем  по ряду Е24, =150 Ом.

РАСЧЁТ ПАРАМЕТРОВ ЦЕПЕЙ СМЕЩЕНИЯ

Напряжение смещения:

 = 19.1 В (4.1)

Иначе:

,

т.е.: R₆ /R₇ = (U_СМ/U_R6) – 1 R₆ /R₇ = (19.1/18.5) – 1 (4.2)

Откуда R6=97 Oм

Исходя из сказанного ниже по закону Ома U_R7 = 0.6 В.

Задаваясь током = (0,2…0,5) мА и принимая R₇ = 3 кОм, получим R₆ , в качестве которого выбираем подстроечный резистор с сопротивлением, большим расчетного, принимаем подстроечный резистор СП5 – 35А.

Выбираем резистор R₇ по ряду Е24

РАСЧЕТ ПАРАМЕТРОВ ДЛЯ ВЫБОРА ТРАНЗИСТОРА VT3

Наибольший ток коллектора транзистора VT3:

 (5.1)

Наибольшая мощность, рассеиваемая на коллекторе

 (5.2)

0.79 Вт

Напряжение

U_{КЭ max} = (U_S1 + U_СМ/2) U_{КЭ max} = (20 + 19.1/2)=29.55 В (5.3)

Выбираем транзистор типа, КТ911В, со следующими паспортными параметры:

, , ,

, 20.

РАСЧЕТ ПАРАМЕТРОВ ДЛЯ ВЫБОРА ТРАНЗИСТОРА VT4.

Наибольший ток коллектора транзистора VT4

I_{К6 max}=124mA; h_21E=20.

I_{Б6 max} =I_{К6 max} / h_21E =124/20=6.2mA.

  (6.1)

Наибольшая мощность, рассеиваемая на коллекторе:

 (6.2)

Выбираем транзистор, например, КТ3102Д с паспортными параметрами:

, , ,

, 200.

РАСЧЕТ ПАРАМЕТРОВ ЦЕПИ ОБРАТНОЙ СВЯЗИ

 =3*0.025=0.075A

Расчет резисторов R₈, R₉

 (7.1)

Oм

=210 Ом

 - Выбираем резисторы по ряду Е24.

  (7.2)

Выбираем конденсаторы по ряду Е24, типа К10-47 А с номинальным напряжением 100В.

РАСЧЕТ ПАРАМЕТРОВ ДИФФЕРЕНЦИАЛЬНОЙ СТУПЕНИ УСИЛЕНИЯ

Подходящими для дифференциальной ступени (VT1, VT2) являются транзисторы с большим коэффициентом усиления (например, КТ3102Д). Параметры транзисторов:

, , ,

, 200.

При этом ток базы

I_Б1 = I_{K1 max}/h_21E I_Б1 = 100/200=0.5mA (8.1)

Напряжение на базах транзисторов VT1, VT2

U_Б1 = U_Б2 = - R₁* I_Б1 (8.2)

R1=4 Ом

 

Выбираем резистор R₁по ряду Е24

 

I_Б3 = I_{K3 max}/h_21E = 0.075/20=3.8 mA (8.3)

РАСЧЕТ ОСТАВШИХСЯ СОПРОТИВЛЕНИЙ СХЕМЫ

Сопротивления резисторов R₂, и R₃:

 

R₂ = U_{БЭ 3} / (I_К1 - I_Б3) R₂ = 3/ (4 -3.8 ) = 15 Oм (8.4)

Выбираем резистор R₂ по ряду Е24

R₃ = (U_Б1 - U_{БЭ 1} - U_S2)/ (I_К1 + I_К2) . (8.5)

 

R₃ = (2- 0.7 +20)/ (0.1 + 0.1) = 100 Ом.

 

Выбираем резистор R₃ по ряду Е24

 

,

где k-коэффициент усиления предпоследней ступени.

=10 Ом (8.6)

Вибираем резистор R₅ =50Ом по ряду Е24

Вибираем резистор R₄ по ряду Е24

Определение емкости конденсаторов

, отсюда

Используя формулу ,

где  и  находим

 (9.1)

Выбираем конденсаторы по ряду Е24, типа К10-47 А с номинальным напряжением 100В.

, где  отсюда

 (9.2)

=2.8 мкФ

 

Выбираем конденсаторы по ряду Е24, типа К50-16 с номинальным напряжением 50В.

ПЕЧАТНАЯ ПЛАТА УСИЛИТЕЛЯ МОЩНОСТИ ТИПА ПП2

	ПРИМЕЧАНИЯ 1.Использовать для платы стеклотекстолит СФ-1-35. 2.Плату изготовить химическим способом. 3.Шаг координатной сетки 2,54 мм. 4.Плата должна соответствовать .ГОСТ 23752-79. 5.Плату покрыть лаком НМЦ.

 ПЕЧАТНАЯ ПЛАТА УСИЛИТЕЛЯ МОЩНОСТИ ТИПА ПП2

	ПРИМЕЧАНИЯ 1.Использовать для платы стеклотекстолит СФ-1-35. 2.Плату изготовить химическим способом. 3.Шаг координатной сетки 2,54 мм. 4.Плата должна соответствовать .ГОСТ 23752-79. 5.Плату покрыть лаком НМЦ.

ПЕРЕЧЕНЬ ЭЛЕМЕНТОВ

Обозначение	Наименование		Кол	Примеч.
	Резисторы
R1			1
R2			1
R3			1
R4			1
R5			1
R6	СП5-35А		1
R7			1
R8			1
R9			1
R10
R11
R12
R13
	КОНДЕНСАТОРЫ
С1	К10-47 А		1
С2	К50-16		1
С3	К10-47 А		1
	ТРАНЗИСТОРЫ
VT1	КТ3102Д	1		n-p-n
VT2	КТ3102Д	1		n-p-n
VT3	КТ911В	1		n-p-n
VT4	КТ3102Д	1		n-p-n
VT5	КТ807А	1		n-p-n
VT6	КТ216А	1		p-n-p
VT7	КТ817Б	1		n-p-n
VT8	КТ817Б	1		n-p-n

СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ

1.  Скаржепа В.А. ,Луценко А.Н. Электроника и микросхемотехника. ч.1.Электронные устройства информационной автоматики: Учебник/ Под общ. ред. А.А. щаКраснопрошиной.-К.: Ви шк., 1989.-431 с.

2.  Гусев В.Г. , Гусев Ю.М. Электроника.Учеб. пособие для вузов. -М.: Высш.шк., 1991.-622 с.

3.  Алексенко А.Г. , Шагурин И.И. Микросхемотехника.-М.: Радио исвязь, 1990.-496с.

4.  Забродин Ю.С. Промышленная электроника. Учебник для вузов.-М.: Высш.шк.,1982.-496 с.

5.  Горбачев Г.Н., Чаплыгин Е.Е. Промышленная электроника / Под ред. В.А. Лабунцова.-М.: Энергоатомиздат, 1988.-320 с.

6.  Руденко В.С., Сенько В.И., Трифонюк В.В. Основы промышленной электроники.- К.: Вища шк., 1985.-400 с.

7.  Прянишников В.А. Электроника: Курс лекций.- СПб.6 КОРОНА принт, 1998.- 400 с.

Справочники

1.  Терещук Р.М., Терещук К.М., Седов С.А. Полупроводниковые приемно-усилительные устройства. Справочник радиолюбителя.-К.: Наукова думка, 1988.

2.  Источники электропитания радиоэлектронной аппаратуры: Справочник/ Г.С.Найвельт, К.Б.Мазель, Ч.И.Хусаинов и др., Под ред.Г.С.Найвельта.-М.: Радио и связь, 1985.- 576 c.

3.  Титце У., Шенк К. Полупроводниковая схемотехника. Справочное руководство.- М.: 1983.

4.  Пухальский Г.И., Новосельцева Т.Я. Проектирование дискретных устройств на интегральных микросхемах: Справочник.- М.: Радио и связь, 1990,-304 с.

5.  Воробьев Н.И. Проектирование электронных устройств: Учеб. Пособие.- М.: Высш. шк. 1989, -223 с.

6.  Александров К.К., Кузьмина Е.Т. Электротехнические чертежи и схемы.-

М.:Энергоатомиздат, 1990.- 288 с.

7.  Партала О.Н. Радиокомпоненты и материалы: Справочник.-К.: Радіоаматор, М.: КубК-а, 1998, -720 с.

8.  Бирюков С.А. Применение интегральных микросхем серии ТТЛ.-М.: «Патриот», МП «Символ-Р», Радио,1992.-120 с.

9.  Бирюков С.А. Цифровые устройства на МОП-интегральных микросхемах .- М.: Радио и связь, 1996.-196 с.