Полевой Н.А.

2395
знаков
0
таблиц
0
изображений

Полевой Н. А.

Полевой Николай Алексеевич

22.6(3.7).1796, Иркутск, - 22.2(6.3).1846, Петербург

Русский писатель, критик, журналист и историк. Родился в купеческой семье. Систематического образования не получил.

Начал печататься в 1817. В 1820-1836 жил в Москве. Полевой явился одним из первых буржуазных идеологов в России 20-30-х гг.; был сторонником конституционной монархии.

Издавал журнал "Московский телеграф" (1825-34), в котором с либерально-буржуазных позиций выступал против феодализма и дворянства, подчЕркивал гражданскую честность, заслуги и монархический патриотизм купечества. В журнале печаталось много статей по истории и этнографии; в литературно-критических статьях (о романах В. Гюго, о состоянии драматического искусства во Франции и др.) Полевой опровергал эстетику классицизма, защищал романтизм, в котором видел средство утверждения демократического искусства.

Антиаристократические тенденции характерны для Полевой - автора романтических повестей "Живописец" (1833), "Эмма" (1834), романа "Аббаддонна" (1834), исторического романа "Клятва при гробе Господнем" (1832) и др.

После запрещения в 1834 журнала в условиях николаевской реакции Полевой отошЕл от своих прежних взглядов, сильно эволюционировал вправо (участие в "Сыне отечества" и "Северной пчеле"). Переехав в Петербург, Полевой занял критическую позицию в отношении Н. М. Карамзина, в противовес его "Истории государства Российского" написал свою "Историю русского народа" (т. 1-6, 1829-33).

Полевой старался обнаружить и показать органическое развитие народного начала в истории. Вместо главного внимания к придворной, военной, дипломатической истории, рассуждений о достоинствах и недостатках князей и царей Полевой предложил обратиться к раскрытию внутренних закономерностей русского исторического процесса. Но реализация новых и важных общих установок, им самим провозглашенных, оказалась для Полевого непосильной.

Вместо обещанной истории народа у Полевого на первом месте также оказалась история государственной власти. Полевому принадлежит прозаический перевод "Гамлета" У. Шекспира (1837). Статьи о Г. Р. Державине, В. А. Жуковском, А. С. Пушкине и др. собраны в его книгу "Очерки русской литературы" (ч. 1-2, 1839). В последние годы жизни выступал против В. Г. Белинского и гоголевского направления в литературе.

Список литературы

Для подготовки данной работы были использованы материалы с сайта http://russia.rin.ru/


Информация о работе «Полевой Н.А.»
Раздел: Биографии
Количество знаков с пробелами: 2395
Количество таблиц: 0
Количество изображений: 0

Похожие работы

Скачать
12364
0
0

... изучения процесса стационарной электропроводности в металле - уникальном объекте, где указанный процесс порождает все обсуждаемые здесь явления электромагнетизма [3]. Стремление описать эту конкретную ситуацию естественно скажется на облике полученных систем уравнений и на их основе соотношений баланса, но их математическая структура и базовое физическое содержание при этом, безусловно, останутся ...

Скачать
18362
0
10

... в выборе оптимального значения сопротивления эпитаксиального слоя, определяющего сопротивление канала и коллектора.   ФУНКЦИОНАЛЬНО-ИНТЕГРИРОВАННЫЕ БИПОЛЯРНО-ПОЛЕВЫЕ СТРУКТУРЫ. ИНЖЕКЦИОННО-ПОЛЕВАЯ ЛОГИКА   Функционально-интегрированная структура, содержащая биполярный p-n-p-транзистор VT1 и полевой транзистор с управляющим р-п переходом VT2, показана на рис. 6. В ней совмещены коллекторная ...

Скачать
17410
0
13

... Стоко-затворная характеристика транзистора со встроенным каналом n-типа Ic = f(Uзи) приведена на рис. 5.4, б. Стоковые (выходные) характеристики Ic=f(Uси) и стоко-затворная характеристика Ic = f(Uзи) полевого транзистора с индуцированным каналом n-типа приведены на рис. 5.5, б; в. Отличие стоковых характеристик заключается в том, что управление током транзистора осуществляется напряжением одной ...

Скачать
36184
1
9

... точки на оси абсцисс, соответствующей напряжению отсечки UЗИотс, то есть напряжению между затвором и истоком МДП-транзистора со встроенным каналом, работающего в режиме обеднения, при котором ток стока достигает заданного низкого значения. Современные силовые запираемые тиристоры Введение Создание полупроводниковых приборов для силовой электроники началось в 1953 г. когда стало возможным ...

0 комментариев


Наверх