Фоторезисторы

2381
знак
0
таблиц
0
изображений

ФОТОРЕЗИСТОР (от фото... и резистор), представляет собой непроволочный полупроводниковый резистор , омическое сопротивление которого определяется степенью освещенности . В основе принципа действия фоторезисторов лежит явление фотопроводимости полупроводников. Фотопроводимость- увеличение электрической проводимости полупроводника под действием света. Причина фотопроводимости — увеличение концентрации носителей заряда — электронов в зоне проводимости и дырок в валентной зоне. Светочувствительный слой полупроводникового материала в таких сопротивлениях помещен между двумя токопроводящими электродами. Под воздействием светового потока электрическое сопротивление слоя меняется в несколько раз ( у некоторых типов фотосопротивлений оно уменьшается на два- три порядка ). В зависимости от применяемого слоя полупроводникового материала фотосопротивления подразделяются на сернистосвинцовые, сернистокадмиевые, сернисто-висмутовые и поликристаллические селено- кадмиевые. Фотосопротивления обладают высокой чувствительностью , стабильностью , экономичны и надежны в эксплуатации. В целом ряде случаев они с успехом заменяют вакуумные и газонаполненные фотоэлементы.

Основные характеристики фотосопротивлений.

Рабочая площадь.

Темновое сопротивление (сопротивление в полной темноте), варьирует в обычных приборах от 1000 до 100000000 ом.

Удельная чувствительность

где:

-фототок, равный разности токов в темноте и на свету;

Ф - световой поток;

U - приложенное напряжение.


Предельное рабочее напряжение ( как правило от 1 до 1000 в ).

Среднее относительное изменение сопротивления, % -

обычно лежит в пределах 10 - 99,9 %,


, где :


-сопротивление в темноте;
-сопротивление в освещенном состоянии.

6. Средняя кратность изменения сопротивления ( как правило от 1 до 1000 ). Определяется соотношением :


Применение: устройства воспроизведения звука, системы слежения, различные устройства автоматики.


Схема включения фоторезисторов:












При определенном освещении сопротивление фотоэлемента уменьшается, а, следовательно, сила тока в цепи возрастает, достигая значения, достаточного для работы какого- либо устройства ( схематично показано в виде некоторого сопротивления нагрузки ).


С П И С О К Л И Т Е Р А Т У Р Ы


Белов И. Ф., Дрызго Е. В. Справочник по радиодеталям. М., « Советское радио», 1973.


2. Шифман Д. Х. Системы автоматического управления. М., «Энергия», 1965.


4



Информация о работе «Фоторезисторы»
Раздел: Радиоэлектроника
Количество знаков с пробелами: 2381
Количество таблиц: 0
Количество изображений: 0

Похожие работы

Скачать
2180
0
2

... ( как правило от 1 до 1000 ). Определяется соотношением : Rt/Rc. Применение: устройства воспроизведения звука, системы слежения, различные устройства автоматики. Схема включения фоторезисторов: При определенном освещении сопротивление фотоэлемента уменьшается, а, следовательно, сила тока в цепи возрастает, достигая значения, достаточного для работы какого- либо устройства ( схематично показано

Скачать
16061
1
3

... развитие элионных процессов. Литографические процессы непрерывно совершенствуются: повышается их прецизионность и разрешающая способность, снижается уровень дефектности и увеличивается производительность. 2 Контактная фотолитография   Фотолитография — это сложный технологический процесс, основанный на использовании необратимых фотохимических явлений, происходящих в нанесенном на подложки слое ...

Скачать
15367
0
6

), (1) где e – заряд электрона; mn – подвижность электронов; mp – подвижность дырок; Dni – концентрация генерируемых электронов; Dpi – концентрация генерируемых дырок. Поскольку основным следствием поглощения энергии света в полупроводнике является перевод электронов из валентной зоны в зону проводимости, т.е. междузонный переход, то энергия кванта света фотона должна ...

Скачать
42534
6
0

... (фотодиодные и фототранзисторные приборы , электровакуумные и твердотельные видиконы фотоэлектронные умножители и др. ) наиболее полно удовлетворяют требованиям оптоэлектронных устройств обработки информации твердотельные матричные фотоприемники. В настоящее время в основном применяются дискретные и гибридные матрицы фотоприемников . Дискретные матрицы фотоприемников с малым геометрическими ...

0 комментариев


Наверх