Биполярный транзистор КТ342Б

12. Биполярный транзистор КТ342Б

 

Справочные данные:

Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный n-р-n маломощный.

Предназначен для усиления и генерирования сигнала в широком диапазоне частот.

Выпускается в пластмассовом корпусе с гибкими выводами.

Масса транзистора не более 0,3 г.

Возможное сечение структуры данного биполярного транзистора показано на рисунке 12а.

Режимы работы, характеристики

Режимы работы транзистора могут быть идентифицированы по карте напряжений, представленной на рис. 27, для транзистора n-р-n типа:

Рис. 27 Карта напряжений транзистора n-р-n типа

Рис. 28 Семейство входных характеристик транзистора КТ209Л при напряжении коллектор-эмиттер: Uke = 0 B Uke = 3 B Uke = 5 B

Семейство входных характеристик представлено на рис. 28:

Рис. 29 Семейство выходных характеристик транзистора КТ342Б при токах базы: Ib = 0.168 mA Ib = 0.184 mA Ib = 0.25 mA

Семейство выходных характеристик представлено на рис. 29:

По значениям выходных характеристик определим напряжение Эрли:

Проведем прямые через линейные участки характеристик до пересечения с осью Uкэ, получим значение напряжения Эрли, равное: U_эрли = – 0,6В.

А также напряжение Эрли можно определить теоретически, по формуле:

, получим: U_эрли = 0.8В

Графики прямых передаточных характеристик в активном режиме Iк=f(Iб) и В=f(Iк), где В= Iк/Iб – статический коэффициент передачи тока в

схеме с общим эмиттером, соответственно представлены на рис. 30 и 31.

Рис. 31 Прямая передаточная характеристика в активном режиме В=f(Iк)

Рис. 30 Прямая передаточная характеристика в активном режиме Iк=f(Iб)

 

 

Режим насыщения представлен на рис. 32, 33:

;

;

Рис. 34 Зависимости тока базы и тока коллектора от напряжения база-эмиттер при напряжении коллектор-эмиттер Uke = 3B

В полулогарифмическом масштабе для активного режима представлены зависимости тока базы и тока коллектора от напряжения база-эмиттер (рис. 34):

Из рис. 34 графически определим ток насыщения диода база-эмиттер и ток насыщения транзистора. Для чего продлим кривые до пересечения осью ln(Ik),ln(Ib). С помощью метода наименьших квадратов найдем линейные уравнения тока базы и тока коллектора от напряжения база-эмиттер. Получаем:

y(Ik) = 38.5x - 24.7

y(Ib) = 34x – 16

Таким образом:

I_{тр насыщ} = 1,87_*10^-14 А,

I_{эб насыщ} = 1.38_*10^-14 А.

 

Расчет коэффициентов неидеальности эмиттерного и коллекторного переходов:

1.  Эмиттерного перехода:

Из входной характеристики зависимости Ube = f(Ib) выберем кривую при Uke = 0 B. На ней выберем две точки: Ube1 = 0.65 B, Ube2 = 0.7 B и Ib1 = 0.111 A, Ib2 = 0.429 A.

Решая систему уравнений, получим:

n = 1.47

2. Коллекторного перехода:

Из характеристики зависимости Ube = f(Ik) на кривой выберем две точки: Ube1 = 0.8 B, Ube2 = 0.9 B и Ik1 = 0.021 A, Ib2 = 0.039 A.

Решая систему уравнений, получим:

n = 6.44

 

Итого получим:

Тип транзистора	Тип проводимости	Ток насыщения диода Б-Э, А	Коэффициент неидеальности диода Б-Э	Напряжение Эрли, В	Ток насыщения транзистора, А	Коэффициент неидеальности транзистора (в уравнении Э-М)
КТ209Л	n-p-n	3.7*10-12	1.1	18	0.11*10-12	0.63
КТ342Б	p-n-p	1.8*10-14	1.47	0.8	1.38*10-14	6.44