Биполярный транзистор КТ209Л

11. Биполярный транзистор КТ209Л

 

Справочные данные

Транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный р-n-р маломощный.

Предназначен для работы в усилительных и импульсных микромодулях и блоках герметизированной аппаратуры.

Выпускается в пластмассовом корпусе с гибкими выводами в двух вариантах. Обозначение типа приводится на корпусе.

Масса транзистора не более 0,3 г.

Возможное сечение структуры биполярного р-n-р транзистора показано на рисунке 12а.

Режимы работы, характеристики

Режимы работы транзистора могут быть идентифицированы по карте напряжений, частично представленной на рис. 18, для транзистора р-n-р типа.

Рис. 18 Карта напряжений транзистора р-n-р типа

Рис. 19 Семейство входных характеристик транзистора КТ209Л при напряжении коллектор-эмиттер: Uke = 0 B Uke = 3 B Uke = 5 B

Семейство входных характеристик представлено на рис. 19:

Семейство выходных характеристик представлено на рис. 20:

	Рис. 20 Семейство выходных характеристик транзистора КТ209Л при токах базы: Ib = 45 mkA Ib = 75 mkA Ib = 85 mkA Ib = 0.1 mA Ib = 0.2 mA

По значениям выходных характеристик определим напряжение Эрли:

Проведем прямые через линейные участки характеристик до пересечения с осью Uкэ, получим значение напряжения Эрли, равное: U_эрли = – 18,2 В.

А также напряжение Эрли можно определить теоретически, по формуле:

, получим: U_эрли = 17 В

Графики прямых передаточных характеристик в активном режиме Iк=f(Iб) и В=f(Iк), где В= Iк/Iб – статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером, соответственно представлены на рис. 21 и 22.

			Рис. 22 Прямая передаточная характеристика в активном режиме В=f(Iк)
	Рис. 21 Прямая передаточная характеристика в активном режиме Iк=f(Iб)

 

Режим насыщения представлен на рис. 23, 24:

;

;

Рис. 24 Режим насыщения

Рис. 23 Режим насыщения

Рис. 25 Зависимости тока базы и тока коллектора от напряжения база-эмиттер при напряжении коллектор-эмиттер Uke = 3B

В полулогарифмическом масштабе для активного режима представлены зависимости тока базы и тока коллектора от напряжения база-эмиттер (рис. 16):

Из рис. 25 графически определим ток насыщения диода база-эмиттер и ток насыщения транзистора. Для чего продлим кривые до пересечения осью ln(Ik),ln(Ib). Получим:

I_{тр насыщ} = 3,7_*10^-12 А,

I_{эб насыщ} = 0,11_*10^-12 А.

Расчет коэффициентов неидеальности эмиттерного и коллекторного переходов:

1.  Эмиттерного перехода:

 

Из входной характеристики зависимости Ube = f(Ib) выберем кривую при Uke = 3 B. На ней выберем две точки: Ube1 = 0.6 B, Ube2 = 0.65 B и Ib1 = 0.042 A, Ib2 = 0.242 A.

Решая систему уравнений, получим:

n = 1.1

 2. Коллекторного перехода:

Из характеристики зависимости Ube = f(Ik) на кривой выберем две точки: Ube1 = 0.65 B, Ube2 = 0.66 B и Ik1 = 0.0085 A, Ib2 = 0.016 A.

Решая систему уравнений, получим:

n = 0.63