3.4 Основные параметры биполярных транзисторов

 


Наименование параметра Обозначение
Отеч. Заруб.

Напряжение между выводами транзисторов:

База-Коллектор

База-Эмитор

 Коллектор-Эмитор

Uбк

 

Uкэ

Ubc

 

Uce

Постоянное напряжение Коллектор-Эмитор из заданного сопротивления в цепи База-Эмитор

Uкэr

Ucer

Постоянное напряжение Коллектор-Эмитор при разомкнутой цепи Базы

Uкэо

Uceo

Максимально допустимое постоянное напряжение Коллектор-Эмитор

Uкэ мах

Uce max

Постоянный ток вывода в транзисторы: Базы

Iб

Ib

Эмиторы

Iэ

Ie

Коллекторы

Iк

Ic

Максимально допустимый ток коллектора

Iк мах

Ic max

Обратный ток коллектора

Iкоб

Icr

Обратный ток эмитора

Iэоб

Ier

Коэффициент усиления потоку h э hfe

Полевые транзисторы.

Полевой транзистор – это полупроводниковый прибор, управляемый электрическим полем, усилительные свойства которого условленны потоком основных носителей, протекающих через проводящие каналы.

Основой полевого транзистора является канал с электропроводимостью N или P типа, созданный в полупроводнике и снабженный двумя выводами. Сопротивлением канала управляет электрод(затвор), соединенный с его средней частью P-N перехода. Электрод, через который проводящий канал втекают носители заряда, через который из канала вытекают носители заряда, называются стоком.

Iис = Ic

Ток полевого транзистора обусловлен носителями заряда только одной полярности:

P- позитив дырки

N- негатив электрона

При подаче запирающего напряжения в затворе сток, объем проводящего канала уменьшается за счет вытеснения основных носителей полем P-N перехода. Чем выше запирающее напряжение, тем меньше ток, протекающий от истока к стоку.

Т.к. входной электрод(P-N переход) постоянно заперт, входное сопротивление транзистора очень высоко.

Существует 2 типа полевых транзисторов, которые различаются принципами управления носителей зарядов.

 Эти транзисторы:

– с изолированным затвором(МДП,МОП)

– с управляющим P-N переходом.

МДП и МОП транзисторы называются транзисторами с изолированным затвором, в принципе действия лежит эффект поля, представляющий собой изменения величины и знака электропроводности на границе полупроводника с диэлектриком под действием приложенного напряжения .

Транзисторы с изолированным затвором имеют затвор электрич. изолированный от проводящего канала и подразделяются на транзисторы со встроенным и индуцированным каналами. В зависимости от полярности напряжения приложенного к затвору электропроводность канала полевого транзистора может уменьшаться(при подаче запирающего напряжения) канал работает в режиме обеднения основными носителями или увеличения(канал работает в режиме обогащения).

Входное сопротивление МДП,МОП транзисторов значительно больше чем полевых транзисторов с P-N переходом и составляет МОм и ГОм.

Графическое обозначение транзистора.

Биполярные


Однопереходные транзисторы

– полевой транзистор с изолированным затвором обедненного типа с P-каналом и с внутренним соединением подложки и истока.

Классификация системы обозначений транзисторов.

Согласно стандарту ОСТ 11.336.919-81 положено буквенно-числовое обозначение транзисторов:

1.  буква или цифра

1 Г – германий и его соединения

2 К – кремний и его соединения

А – галлий и его соединения

И – для соединений И

 2. Для обозначения подклассов транзистора:

 Т –для биполярных

 П –для полевых

 3. Цифра

 1-маломощные транзисторы

 2-маломощные средней частоты

 3-маломощныевысокочастотные

4-средней мощности низкочастотные

5-средней мощности среднечастотные

6-средней мощности высокочастотные

7-большой мощности

8-большой мощности средней частоты

9-большой мощности высокочастотные

4. Цифра от 0,1 до 999 номер порядковой разработки

5. Буквы русского алфавита от А до Я, кроме З,О,Ч

6. Классификация по электрическим параметрам транзистора

 7. Цифра – обозначает конструктивные особенности транзистора

Примеры:

ГТ101А – германиевый биполярный маломощный низкочастотный, № разработки 01,гр. А

2Т339А-2 – кремниевый биполярный маломощный высокочастотный, №39, гр. А

Стары обозначения до 61 года.

Состоит из 2-х или 3-х элементов.

1-й элемент(буква) П- характеризует класс биполярных транзисторов МП – корпус металлический, способом холодной сварки

2-й элемент (цифра) от 1 до 99

1-99 германиевые маломощные низкочастотные

101-199 кремниевые маломощные низкочастотные

201-299 германиевые мощные низкочастотные

301-399 кремниевые мощные низкочастотные

401-499 германиевые маломощные ВЧ,СВЧ

501-599 кремниевые мощные ВЧ,СВЧ

601-699 германиевые мощные ВЧ,СВЧ

701-799 кремниевые мощные ВЧ,СВЧ

3-й элемент. Классификация по параметрам(буква)


Тип транзистора Расшифровка Uкэ max. Iк max B Ƒ гр P max
КТ3102А Кремневый, биполярный, маломощные ВЧ и СВЧ, парам. 30В 300 мА 350 300мГц 500 мВт
КТ315Б Кремневый, биполярный, маломощные ВЧ и СВЧ, парам. 20 В 100 мА 50-350 270 мГц 150 мВт
КТ812Б Кремневый, биполярный, большой мощности СЧ, парам. 300 В 8 А 80 6-12 мГц 50 мВт
П609  биполярный, германиевый ВЧ и СВЧ. 25 В 300 мА 60 120 мГц 1 Вт
КТ203Б Кремневый, биполярный, маломощный транзистор, СЧ, парам. 30 В 10 мА 30-90 10 мГц 150 мВт
П416 биполярный, германиевый ВЧ и СВЧ. Парметр. 15 В 25 мА 90-200 80 мГц 100 мВт
КТ209 Кремневый, биполярный, маломощный СЧ. 45 В 300 мА 80 10 мГц 200 мВт

Информация о работе «Архитектура ЭВМ»
Раздел: Коммуникации и связь
Количество знаков с пробелами: 50907
Количество таблиц: 14
Количество изображений: 12

Похожие работы

Скачать
53041
0
0

... на кристалл) и средней степени интеграции (СИС - 10 -1000 компонентов на кристалл). Появилась идея, которая и была реализована, проектирования семейства компьютеров с одной и той же архитектурой, в основу которой положено главным образом программное обеспечение. В конце 60-х появились мини-компьютеры. В 1971 году появился первый микропроцессор. Быстродействие (операций в секунду) порядка 1 млн ...

Скачать
25469
0
2

... это делать. Буфера адресов позволяют в конечном итоге сгладить неравномерность поступления запросов к памяти и тем самым повысить эффективность ее использования. Третьей структурной особенностью БЭСМ-6 является метод использования сверхоперативной, неадресуемой из программы памяти небольшого объема, цель которого≈автоматическая экономия обращений к основному оперативному запоминающему ...

Скачать
7278
5
1

... процессоры, входящие в состав периферийных устройств). В многомашинной вычислительной системе несколько процессоров, входящих в вычислительную систему, не имеет общей оперативной памяти, а имеют каждый свою (локальную). Каждый компьютер в многомашинной системе имеет классическую архитектуру, и такая система применяется достаточно широко. Однако эффект от применения такой вычислительной системы ...

Скачать
31507
0
2

... пользователя. С помощью клавиатуры управляют компьютерной системой, а с помощью монитора получают от нее оклик. Принцип действия. Клавиатура относится к стандартным средствам персонального компьютера. Ее основные функции не нуждаются в поддержке специальными системными программами (драйверами). Необходимое программное обеспечения для начала работы с компьютером уже имеется в микросхеме ПЗУ в ...

0 комментариев


Наверх