Приборы полупроводниковые

Термины и определения

ГОСТ 15133-77 (СТ СЭВ 2767-80)

Физические элементы полупроводниковых приборов

Электрический переход (Переход, Elektrischer Ubergang (Sperrschicht), Junction) – переходный слой в полупроводниковом материале между двумя областями с различными типами электропроводности или разными значениями удельной электрической проводимости (одна из областей может быть металлом).

Электронно-дырочный переход (p‑n переход, pn‑Ubergang, P‑N Junction) – электрический переход между двумя областями полупроводника, одна из которых имеет электропроводность n‑типа, а другая p‑типа.

Электронно-электронный переход (n‑nпереход, n‑n+‑Ubergang, N‑Njunction) – электрический переход между двумя областями полупроводника n‑типа, обладающими различными значениями удельной электрической проводимости.

Дырочно-дырочный переход (p‑pпереход, p‑p+‑Ubergang, P‑Pjunction) – электрический переход между двумя областями полупроводника p-типа, обладающими различными значениями удельной электрической проводимости.

Примечание. “+” условно обозначает область с более высокой удельной электрической проводимостью.

Резкий переход (Steiler Ubergang, Abrupt junction) – электрический переход, в котором толщина области изменения концентрации примеси значительно меньше толщины области пространственного заряда.

Примечание. Под толщиной области понимают ее размер в направлении градиента концентрации примеси.

Плавный переход (Stetiger Ubergang, Graded junction) – электрический переход, в котором толщина области изменения концентрации примеси сравнима с толщиной области пространственного заряда.

Плоскостной переход (Flachenubergang, Surface junction) – электрический переход, у которого линейные размеры, определяющие его площадь, значительно больше толщины.

Точечный переход (Punktubergang, Point-contact junction) – электрический переход, все размеры которого меньше характеристической длины, определяющей физические процессы в переходе и в окружающих его областях.

Диффузионный переход (Diffundierter Ubergang, Diffused junction) – электрический переход, полученный в результате диффузии атомов примеси в полупроводнике.

Планарный переход (Planarubergang, Planar junction) – диффузионный переход, образованный в результате диффузии примеси сквозь отверстие в защитном слое, нанесенном на поверхность полупроводника.

Конверсионный переход (Konversionsubergang, Conversion junction) – электрический переход, образованный в результате конверсии полупроводника, вызванной обратной диффузией примеси в соседнюю область, или активацией атомов примеси.

Сплавной переход (Legierter Ubergang, Alloyed junction) – электрический переход, образованный в результате вплавления в полупроводник и последующей рекристаллизации металла или сплава, содержащего донорные и (или) акцепторные примеси.

Микросплавной переход (Mikrolegierter Ubergang, Micro-alloy junction) – сплавной переход, образованный в результате вплавления на малую глубину слоя металла или сплава, предварительно нанесенного на поверхность полупроводника.

Выращенный переход (Gezogener Ubergang, Grown junction) – электричеcкий переход, образованный при выращивании полупроводника из расплава.

Эпитаксиальный переход (Epitaxieubergang, Epitaxial junction) – электрический переход, образованный эпитаксиальным наращиванием. Эпитаксиальное наращивание – создание на монокристаллической подложке слоя полупроводника, сохраняющего кристаллическую структуру подложки.

Гетерогенный переход (гетеропереход, Heteroubergang, Heterogenous junction) – электрический переход, образованный в результате контакта полупроводников с различной шириной запрещенной зоны.

Гомогенный переход (гомопереход, Homogener Ubergang, Homogenous junction) – электрический переход, образованный в результате контакта полупроводников с одинаковой шириной запрещенной зоны.

Переход Шоттки (Schottky Ubergang, Schottky junction) – электрический переход, образованный в результате контакта между металлом и полупроводником.

Выпрямляющий переход (Gleichrichterubergang, Rectifying junction) – электрический переход, электрическое сопротивление которого при одном направлении тока больше, чем при другом.

Омический переход (Ohmischer Ubergang, Ohmic junction) – электрический переход, электрическое сопротивление которого не зависит от направления тока в заданном диапазоне значений токов.

Эмиттерный переход (Emitterubergang, Emitter junction) – электрический переход между эмиттерной и базовой областями полупроводникового прибора.

Коллекторный переход (Kollektorubergang, Collector junction) – электрический переход между базовой и коллекторной областями полупроводникового прибора.

Дырочная область (p‑область, Defektelektronengebiet, P‑region) – область в полупроводнике с преобладающей дырочной электропроводностью.

Электронная область (n‑область, Elektronengebiet, N‑region) – область в полупроводнике с преобладающей электронной электропроводностью.

Область собственной электропроводности (i‑область, Eigenleitungsgebiet, Intrinsic region) – область в полупроводнике, обладающая свойствами собственного полупроводника.

Базовая область (База, Basisgebiet, Base region) – область полупроводникового прибора, в которую инжектируются неосновные для этой области носители заряда.

Эмиттерная область (Эмиттер, Emittergebiet, Emitter region) – область полупроводникового прибора, назначением которой является инжекция носителей заряда в базовую область.

Коллекторная область (Коллектор, Kollektorgebiet, Collector region) – область полупроводникового прибора, назначением которой является экстракция носителей из базовой области.

Активная часть базовой области биполярного транзистора (Aktiver Teil des Basisgebietes eines bipolaren Transistors, Active part of base region) – часть базовой области биполярного транзистора, в которой накопление или рассасывание неосновных носителей заряда происходит за время перемещения их от эмиттерного перехода к коллекторному переходу.

Пассивная часть базовой области биполярного транзистора (Passiver Teil des Basisgebietes eines bipolaren Transistors, Passive part of base region) – часть базовой области биполярного транзистора, в которой для накопления или рассасывания неосновных носителей заряда необходимо время большее, чем время их перемещения от эмиттерного перехода к коллекторному переходу.

Проводящий канал (Kanal, Channel) – область в полупроводнике, в которой регулируется поток носителей заряда.

Исток (Source, Sourse) – электрод полевого транзистора, через который в проводящий канал втекают носители заряда.

Сток (Drain, Drain) – электрод полевого транзистора, через который из проводящего канала вытекают носители заряда.

Затвор (Gate, Gate) – электрод полевого транзистора, на который подается электрический сигнал.

Структура полупроводникового прибора (Структура, Struktur eines Halbleiterbauelementes, Structure) – последовательность граничащих друг с другом областей полупроводника, различных по типу электропроводности или по значению удельной проводимости, обеспечивающая выполнение полупроводниковым прибором его функций.

Примечания: 1. Примеры структур полупроводниковых приборов: p­‑n; p‑n‑p; p‑i‑n; p‑n‑p‑n и др.


Информация о работе «Приборы полупроводниковые»
Раздел: Коммуникации и связь
Количество знаков с пробелами: 35273
Количество таблиц: 0
Количество изображений: 0

Похожие работы

Скачать
50268
3
3

... ). Перспективы развития микроэлектроники Функциональная микроэлектроника. Оптоэлектроника, акустоэлектроника, магнетоэлектроника, биоэлектроника и др. Содержание лекций 1 Цели и задачи курса “Электронные, квантовые приборы и микроэлектроника”. Физика полупроводников. p-n- переходы. Полупроводниковые диоды. Разновидности и характеристики. 2 Транзисторы. Принцип действия, разновидности и ...

Скачать
17264
0
0

... материалы, но наибольшее распространение получили оксиды металлов переходной группы Д. И. Менделеева [от титана (порядковый номер 22) до меди (порядковый номер 29)]. Основные требования, предъявляемые к полупроводниковым материалам таких термисторов, определяются необходимостью обеспечить широкий диапазон номинальных сопротивлений, различный температурный коэффициент сопротивления, малый разброс ...

Скачать
18324
0
10

ре, некоторые валентные электроны кристаллической решетки получают энергию, достаточную для разрыва ковалентной связи, т.е. для перехода электрона из валентной зоны в зону проводимости. Вследствие разрыва одной парноэлектронной связи образуются два носителя заряда: электрон и дырка. Электрон, как известно, является носителем элементарного отрицательного заряда. При разрыве парноэлектронной связи ...

Скачать
153271
6
6

... от структуры силикатных стёкол, и способно выдерживать умеренные концентрации катионов (например, натрий до 0,1%), не увеличивая электропроводимость. Боратное стекло отвечает требованиям герметизации полупроводниковых приборов: свободно от щелочных металлов, уплотняется (спаивается) при температуре до 800С, относительно инертно и водонепроницаемо, имеет регулируемые коэффициенты температурного ...

0 комментариев


Наверх