ПОЯСНИТЕЛЬНАЯ ЗАПИСКА

Тема:

"Графоаналитический расчет и исследование полупроводникового усилительного каскада"

Севастополь 2007 г.


1.  Выбор параметров усилительного каскада

Выбор параметров усилительного каскада осуществлён согласно номеру варианта из приложения А, а также приложений В и Г, где определён тип транзистора (Uкэ доп=20 В, Iк доп=50 mА)

1. Тип транзистора МП-20А p-n-p
2. ЭДС источника питания Ек 20 В
3. Сопротивление нагрузки 0,68 кОм
4. Сопротивление эмиттерного резистора 0,33 кОм
5. Амплитудное значение напряжения сигнала Uвхm 0,08 В
6. Частота сигнала f 400 Гц

Рис. 1. Одиночный транзисторный каскад усиления

Рис. 2. Схема транзистора


Для усилительного каскада выбрана схема включения транзистора с общим эмиттером. Входной сигнал прикладывается к выводам эмиттера и базы, а источник питания коллектора включён между выводами эмиттера и коллектора. Таким образом, эмиттер является общим электродом для входной и выходной цепей. Входным током является малый по величине ток базы, выходным током – ток коллектора. В схеме с общим эмиттером можно получить коэффициент прямой передачи тока порядка нескольких десятков.

2.  Построение входной и выходной статистических характеристик транзистора

На рисунке 3, выполненном на миллиметровой бумаге, построены входная и выходные характеристики транзистора МП-20А. Для схемы с общим эмиттером статической входной характеристикой является график зависимости тока базы Iб от напряжения Uбэ при постоянном значении Uкэ: Iб=f(Uбэ) при Uкэ=const. Выходные характеристики транзистора для схемы с общим эмиттером представляют собой зависимости тока коллектора от напряжения между коллектором и эмиттером при постоянном токе базы. Iк=φ(Uкэ) при Iб=const. Крутизна выходных характеристик на начальном участке от Uкэ=0 до |Uкэ| = |Uбэ| =0,08 В велика. На участке |Uкэ| > |Uбэ| крутизна характеристик уменьшается, и они идут почти параллельно оси абсцисс. Положение каждой из выходных характеристик зависит, главным образом, от величины тока базы.

Значения токов базы рассчитывается, начиная с самой нижней кривой, соответствующей I0б=0. Значение ∆ Iб=0,1 мА приведено в правом верхнем углу графиков выходных статических характеристик приложения В. Следовательно:

I0б 0 I0б=0 мА
Iб1= I0б +∆ Iб 0+0,1 Iб1=0,1 мА
Iб2= Iб1 +∆ Iб 0,1+0,1 Iб2=0,2 мА
Iб3= Iб2 +∆ Iб 0,2+0,1 Iб3=0,3 мА
Iб4= Iб3. +∆ Iб 0,3+0,1 Iб4=0,4 мА
Iб5= Iб4+∆ Iб 0,4+0,1 Iб5=0,5 мА

Информация о работе «Графоаналитический расчёт и исследование полупроводникового усилительного каскада»
Раздел: Коммуникации и связь
Количество знаков с пробелами: 23082
Количество таблиц: 5
Количество изображений: 3

Похожие работы

Скачать
11748
2
6

... рабочей прямой. Рабочая прямая проходит через точки Uкэ=Eк и Iк=Eк÷Rн и пересекает графики выходных характеристик (токи базы). Для достижения наибольшей амплитуды при расчёте импульсного усилителя рабочая точка была выбрана ближе к наименьшему напряжению т.к у оконечного каскада импульс будет отрицательный. По графику выходных характеристик (рис.1) были найдены значения IКпост=4,5 мА, ...

0 комментариев


Наверх