Войти на сайт

или
Регистрация

Навигация


Скачать работу на тему: Принцип действия полевого транзистора

Раздел: Компьютерные науки
Количество знаков с пробелами: 14154
Количество таблиц: 0
Тип файла: документ Word (.docx)
Размер файла: 19.98 КБ
Вся база рефератов, курсовых, дипломных работ и прочих учебных материалов предоставляется бесплатно. Используя материалы сайта Вы подтверждаете, что ознакомились с пользовательским соглашением и согласны со всеми его пунктами в полной мере.

Похожие работы

Скачать
10417
1
5

... металл-полупроводник (Шоттки барьер). Которую второму типу относят полевые транзисторы, в которых металлический электрод затвора отделен от канала слоем диэлектрика, - полевые транзисторы с изолированным затвором. Идея, лежащая в основе работы полевого транзистора с затвором в виде p-n-перехода, высказана в 1952 г. У. Шокли. Она поясняется на рис. 2. Под металлическим электродом затвора полевого ...

Скачать
18013
0
7

... (Металл- Окисел- Полупроводник), который нашел широкое применение в качестве основного элемента всех современных интегральных микросхем КМОП структуры. МОП – ТРАНЗИСТОРЫ 1. Устройство полевого транзистора. Полевой транзистор - это полупроводниковый прибор, усилительные свойства которого обусловлены потоком основных носителей, протекающим через проводящий канал и управляемый ...

Скачать
17410
0
13

... Стоко-затворная характеристика транзистора со встроенным каналом n-типа Ic = f(Uзи) приведена на рис. 5.4, б. Стоковые (выходные) характеристики Ic=f(Uси) и стоко-затворная характеристика Ic = f(Uзи) полевого транзистора с индуцированным каналом n-типа приведены на рис. 5.5, б; в. Отличие стоковых характеристик заключается в том, что управление током транзистора осуществляется напряжением одной ...

Скачать
1986
1
2

я и напряжения отсечки 5 Расчет крутизны стокозатворной характеристики и проводимости канала 6 Максимальная рабочая частота транзистора 1 Принцип действия транзистора В отсутствии смещений (UЗ =0, UС =0) приповерхностный слой полупроводника обычно обогащен дырками из-за наличия ловушек на границе кремний – оксид кремния и наличия положительных ионов в пленке диэлектрика. ...

0 комментариев


Наверх