Войти на сайт

или
Регистрация

Навигация


Скачать работу на тему: Полевые транзисторы

Раздел: Коммуникации и связь
Количество знаков с пробелами: 17410
Количество таблиц: 0
Тип файла: документ Word (.docx)
Размер файла: 146.95 КБ

Количество изображений: 13, показано 13

Вся база рефератов, курсовых, дипломных работ и прочих учебных материалов предоставляется бесплатно. Используя материалы сайта Вы подтверждаете, что ознакомились с пользовательским соглашением и согласны со всеми его пунктами в полной мере.

Похожие работы

Скачать
18362
0
10

... в выборе оптимального значения сопротивления эпитаксиального слоя, определяющего сопротивление канала и коллектора.   ФУНКЦИОНАЛЬНО-ИНТЕГРИРОВАННЫЕ БИПОЛЯРНО-ПОЛЕВЫЕ СТРУКТУРЫ. ИНЖЕКЦИОННО-ПОЛЕВАЯ ЛОГИКА   Функционально-интегрированная структура, содержащая биполярный p-n-p-транзистор VT1 и полевой транзистор с управляющим р-п переходом VT2, показана на рис. 6. В ней совмещены коллекторная ...

Скачать
36184
1
9

... точки на оси абсцисс, соответствующей напряжению отсечки UЗИотс, то есть напряжению между затвором и истоком МДП-транзистора со встроенным каналом, работающего в режиме обеднения, при котором ток стока достигает заданного низкого значения. Современные силовые запираемые тиристоры Введение Создание полупроводниковых приборов для силовой электроники началось в 1953 г. когда стало возможным ...

Скачать
40899
6
39

... к модификации межэлектродных ёмкостей, а также режим работы транзистора – режимы большого или малого тока коллектора (проявление эффекта Кирка). Необходимо и достаточно параметры математической модели биполярных транзисторов описываются 8-ю характеристиками: Зависимостью напряжения на переходе эмиттер-база Uбэ в режиме насыщения от тока коллектора (желательно иметь диапазон изменения тока ...

Скачать
10417
1
5

... металл-полупроводник (Шоттки барьер). Которую второму типу относят полевые транзисторы, в которых металлический электрод затвора отделен от канала слоем диэлектрика, - полевые транзисторы с изолированным затвором. Идея, лежащая в основе работы полевого транзистора с затвором в виде p-n-перехода, высказана в 1952 г. У. Шокли. Она поясняется на рис. 2. Под металлическим электродом затвора полевого ...

0 комментариев


Наверх